[发明专利]图像拾取装置和图像拾取系统有效
申请号: | 201310345012.3 | 申请日: | 2013-08-09 |
公开(公告)号: | CN103579274A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 岩田旬史;乾文洋;渡边高典;篠原真人 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 欧阳帆 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像 拾取 装置 系统 | ||
1.一种图像拾取装置,包括:
其中排列有像素的像素部分,所述像素各自包括把信号电荷作为多数载流子的第一导电型的第一半导体区域,和把信号电荷作为少数载流子的第二导电型的第二半导体区域,第二半导体区域邻接到第一半导体区域,第一半导体区域被布置在第二半导体区域和半导体衬底的表面之间,
其中,两个相邻像素的第一半导体区域由第二导电型的第三半导体区域隔开,所述两个相邻像素的第二半导体区域电连接到第三半导体区域,并且,在半导体衬底的所述表面上,设置通过第三半导体区域向第二半导体区域施加基准电位的基准触点;
其中,所述像素部分中的所述基准触点的数目小于所述像素部分中的所述像素的数目的四分之一;
其中,所述像素部分包括位于每个基准触点附近的第一类像素和第二类像素,并且所述表面和第一类像素的第二半导体区域之间的距离小于所述表面和第二类像素的第二半导体区域之间的距离;并且
其中,所述基准触点和第一类像素的第一半导体区域之间的距离小于所述基准触点和第二类像素的第一半导体区域之间的距离。
2.如权利要求1所述的图像拾取装置,其中,所述像素部分包括:基于第一类像素的信号电荷来生成电信号的第一放大晶体管,和基于第二类像素的信号电荷来生成电信号的第二放大晶体管。
3.如权利要求2所述的图像拾取装置,其中,第一放大晶体管基于包括第一类像素的第一像素组中的像素的信号电荷来生成电信号,第二放大晶体管基于包括第二类像素的第二像素组中的像素的信号电荷来生成电信号,第一像素组中的像素被连接到第一浮动扩散区域,并且,第二像素组中的像素被连接到第二浮动扩散区域。
4.如权利要求2所述的图像拾取装置,其中,所述基准触点和输出来自第一放大晶体管的电信号的第一输出触点之间的距离小于所述基准触点和输出来自第二放大晶体管的电信号的第二输出触点之间的距离。
5.如权利要求2所述的图像拾取装置,其中,所述像素部分包括:复位第一类像素的信号电荷的第一复位晶体管,和复位第二类像素的信号电荷的第二复位晶体管,并且,第一放大晶体管和第二复位晶体管被连接到共同的触点。
6.如权利要求1所述的图像拾取装置,其中,所述基准触点被布置在第三半导体区域的一部分上方,所述部分位于第一类像素的第一半导体区域和第二类像素的第一半导体区域之间。
7.如权利要求1所述的图像拾取装置,其中,在第一类像素的第一半导体区域和第二类像素的第一半导体区域之间,不设置绝缘体。
8.如权利要求1所述的图像拾取装置,其中,所述像素中的每个像素具有传输信号电荷的传输门,并且,在排列第一类像素的第一半导体区域和第二类像素的第一半导体区域的方向上,第一类像素的传输门的传输方向和第二类像素的传输门的传输方向相反。
9.如权利要求1所述的图像拾取装置,其中,所述像素部分包括第三类像素;第一类像素包括主透射波长是第一波长的滤色器,该滤色器被布置在半导体衬底的所述表面一侧;第二类像素包括主透射波长是比第一波长长的第二波长的滤色器,该滤色器被布置在半导体衬底的所述表面一侧;并且,第三类像素包括主透射波长是比第二波长长的第三波长的滤色器,该滤色器被布置在半导体衬底的所述表面一侧。
10.如权利要求9所述的图像拾取装置,其中,所述像素中的每个像素包括具有多晶硅栅电极并且传输信号电荷的传输门,并且,在所述像素部分的至少一部分中,从所述像素部分的中心朝着外缘顺序排列第三类像素的第一半导体区域、第三类像素的传输门、和第一类像素的第一半导体区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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