[发明专利]掺杂高浓度钕的钇铝石榴石晶体的生长方法

权利要求书

1.掺杂高浓度钕的钇铝石榴石晶体的生长方法，其特征在于，采用熔体提拉法制备，包括如下步骤：

（1）按预设的掺钕浓度进行计算、称重配好原料，混合均匀，然后装入乳胶模具中密封并通过等静压成型；

（2）将籽晶放入籽晶杆中；

（3）将成型的原料放入晶体炉中直径为120mm的铱金坩埚内，调好温场后抽真空，然后充入高纯氩气进行保护；

（4）采用中频电源感应加热升温，使成型的原料全部熔化后，熔体液流线清晰稳定时开始缓慢下籽晶，至籽晶与熔体表面接触；

（5）恒温2小时，开始提拉籽晶，待籽晶表面稍熔后，提拉并转动籽晶杆，开始晶体生长，晶体生长包括放肩、等径生长、收尾和降温四个阶段，其中放肩角度控制在28-35°，当其下端直径为40mm时，改变提拉速度并调整温度开始转肩使其直径为42-43mm等径生长，等径生长转速为13-17转/分，提拉速度为0.6-0.8mm/h，晶体等径生长30-40mm长度时改变转速与提拉速度使其下端直径为40-41mm等径生长；等径生长达到预定长度后，缓慢升温收尾，从侧面观察收尾段形成上大下小的等腰梯形；至下角角度为102.5-105°且下端直径为3-5mm时收尾结束，开始缓慢降温提拉铱金坩埚内原料，保护坩埚，降到合适温度点提拉杆停转，继续缓慢降温，当中频电源回流降至200A以下时，关闭电源，进行自然降温；

（6）经过24小时自然降温后，取出晶体。

2.如权利要求1所述的掺杂高浓度钕的钇铝石榴石晶体的生长方法，其特征在于，在进行预设的掺钕浓度的钇铝石榴石晶体制备前，先制备两次掺钕浓度较低的钇铝石榴石晶体。