[发明专利]一种低银含量的晶硅太阳能电池正面电极银浆的制备方法在审
申请号: | 201310343859.8 | 申请日: | 2013-08-06 |
公开(公告)号: | CN103440927A | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 奉向东;孟淑媛;黄耀浩;郑振展;杨至灏;冯纪伟;蔡亮;唐元勋;曾文;赵晓飞;陈娟;江志坚 | 申请(专利权)人: | 浙江光达电子科技有限公司 |
主分类号: | H01B13/00 | 分类号: | H01B13/00;H01B1/22;H01B1/16;H01L31/0224 |
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地址: | 325000 浙江省温*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 含量 太阳能电池 正面 电极 制备 方法 | ||
1.一种低银含量的晶硅太阳能电池正面电极银浆的制备方法,其特征在于的组成和重量百分比分别为:球形银粉113~20%;球形银粉226~33%;球形银粉318~25%;球形银粉48~12%;玻璃粉4.5~6.5%;有机载体11.5~13.5%。
2.根据权利要求1所述的一种低银含量的晶硅太阳能电池正面电极银浆的制备方法,其特征在于所述的球形银粉1的粒度分布为4.0~4.5μm,比表面积0.2~0.45m2/g。
3.根据权利要求1所述的一种低银含量的晶硅太阳能电池正面电极银浆的制备方法,其特征在于所述的球形银粉2的粒度分布为2.0~3.0μm,比表面积0.4~0.7m2/g。
4.根据权利要求1所述的一种低银含量的晶硅太阳能电池正面电极银浆的制备方法,其特征在于所述的球形银粉3的粒度分布为1.0~2.0μm,比表面积1.4~1.7m2/g。
5.根据权利要求1所述的一种低银含量的晶硅太阳能电池正面电极银浆的制备方法,其特征在于所述的球形银粉4的粒度分布为0.2~0.8μm,比表面积2.0~4.5m2/g。
6.根据权利要求1所述的一种低银含量的晶硅太阳能电池正面电极银浆的制备方法,其特征在于所述的玻璃粉是PbO-B2O3-SiO2-AL2O3玻璃体系,在烧结过程的500~820℃温度区间熔融流动,促进所述的4种银粉的收缩致密,腐蚀晶硅电池片表面的氮化硅层,使硅片与正面银电极形成良好的导电接触。
7.根据权利要求1所述的一种低银含量的晶硅太阳能电池正面电极银浆的制备方法,其特征在于所述的有机载体是高分子树脂和溶剂,其重量百分组成是高分子树脂0.8~1.5wt%、溶剂10.0~12.7wt%。
8.根据权利要求7所述的一种低银含量的晶硅太阳能电池正面电极银浆的制备方法,其特征在于所述的高分子树脂是乙基纤维素、羟乙基纤维素、羟丙基纤维素、丙烯酸树脂、聚氨酯树脂中的一种或几种。
9.根据权利要求7所述的一种低银含量的晶硅太阳能电池正面电极银浆的制备方法,其特征在于所述的溶剂是松油醇、丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯中的一种或几种。
10.根据权利要求1所述的一种低银含量的晶硅太阳能电池正面电极银浆的制备方法,其特征在于本发明制备工艺为:将玻璃粉和银粉、有机载体按比例称量,经高速分散机高速搅拌30~60分钟,再经过三辊轧机辊轧3-5遍至细度≤8μm,得到太阳能电池正面电极银浆。
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