[发明专利]一种单模光纤及其制造方法

权利要求书

1.一种单模光纤，其裸光纤由内至外依次为芯层、第一内包层和第二内包层，其特征在于，所述芯层的折射率大于所述第一内包层，所述第一内包层的折射率大于所述第二内包层。

2.如权利要求1所述的单模光纤，其特征在于，所述芯层相对所述第二内包层的相对折射率差Δn1%为0.65%～1.0%。

3.如权利要求1所述的单模光纤，其特征在于，所述第一内包层相对所述第二内包层的相对折射率差Δn2%为0.03%～0.06%。

4.如权利要求1所述的单模光纤，其特征在于，所述第一内包层的半径与所述芯层的半径的比值为4～6：1。

5.如权利要求1所述的单模光纤，其特征在于，所述单模光纤980nm波长衰减系数小于1.50dB/km，1550nm波长衰减系数小于0.30dB/km，截止波长小于980nm，980nm波长模场直径为3.5～5.5μm，1550nm波长模场直径6.0～8.8μm。

6.如权利要求1所述的单模光纤的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

利用等离子体化学气相沉积工艺，在石英反应管内依次，第一内包层和芯层，沉积原料为四氯化硅、四氯化锗、三氯氧磷、C₂F₆和O₂气体，在沉积工艺过程中，通过分别调整沉积原料的流量比例以及沉积的趟数来控制芯层与第一内包层的相对折射率高度和第一内包层与芯层的半径比例；

利用高温石墨感应炉，将沉积后的石英反应管在2200℃温度下熔缩成实心芯棒；

将上述芯棒外包形成单模光纤预制棒并拉制成单模光纤。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，沉积第二内包层过程中，控制四氯化硅流量为60%，四氯化锗流量为20%，C₂F₆的流量为10%，沉积趟数为1000趟，上述流量的百分比为流量计的开度百分比。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，沉积第一内包层时，控制四氯化硅流量为60%，四氯化锗流量从25%增加至35%，三氯氧磷流量为20%，C₂F₆的流量为10%，沉积趟数为600趟，上述流量的百分比为流量计的开度百分比。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，沉积芯层时，控制四氯化硅流量为30%，四氯化锗流量为55%，C₂F₆的流量为5%，沉积趟数100趟，上述流量的百分比为流量计的开度百分比。