[发明专利]一种利用单面曝光机实现双面对准光刻的方法有效
申请号: | 201310342944.2 | 申请日: | 2013-08-08 |
公开(公告)号: | CN103399465A | 公开(公告)日: | 2013-11-20 |
发明(设计)人: | 王泰升;鱼卫星;卢振武;孙强 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F9/00 |
代理公司: | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人: | 张伟 |
地址: | 130033 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 利用 单面 曝光 实现 双面 对准 光刻 方法 | ||
1.一种利用单面曝光机实现双面对准光刻的方法,由以下步骤实现:
一、制作第一掩模板(1)和第二掩模板(2),第一掩模板(1)具有中心对称的内层对准标记(1-1)和外层对准标记(1-2),分别位于基片图形内和基片图形外,第二掩模板(2)具有与第一掩模板(1)一致的外层对准标记(2-1);
二、利用第一掩模板(1)在基片上表面(3-1)进行光刻和刻蚀,制作图形;
三、利用第一掩模板(1)在透明衬底(4)表面进行光刻和刻蚀,制作图形;
四、通过内层对准标记(1-1)和透明衬底4的内层对准标记(4-3),将制作有图形的透明衬底表面(4-1)和基片上表面(3-1)进行对准和粘片;
五、使透明衬底(4)外层对准标记与第二掩模板(2)外层对准标记(2-1)重合,利用第二掩模板(2)在基片下表面(3-2)进行光刻和刻蚀,制作需要的图形;
六、将基片(3)与透明衬底(4)分离,得到具有双面对准图形的基片(3)。
2.根据权利要求1所述一种利用单面曝光机实现双面对准光刻的方法,其特征在于:掩模板的对准标记设计为中心对称。
3.根据权利要求1所述一种利用单面曝光机实现双面对准光刻的方法,其特征在于:将透明衬底(4)上制作图形的表面(4-1)与基片做好光刻图形的上表面(3-1)相对,在显微镜(5)下利用两个面的内层对准标记进行对准,再利用透明固化胶(6)将二者粘合到一起,这一步可以通过两种方式进行:一种方式是可以先通过显微镜(5)完成对准,然后从基片(3)和透明衬底(4)接触面边缘滴入透明固化胶(6),利用毛细作用自然渗入两个面之间,固化后完成粘合;另一种方式是先在基片(3)上滴上透明固化胶(6),然后将透明衬底(4)压在基片(3)上,并在胶体固化之前完成对准。
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