[发明专利]荧光体与发光装置无效
| 申请号： | 201310342647.8 | 申请日： | 2013-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN104073251A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 庄渊仁;温正雄 | 申请（专利权）人： | 奇美实业股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/59 | 分类号： | C09K11/59;H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 贾静环 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 荧光 发光 装置 | ||
1.一种荧光体，其中该荧光体包括组成式为(BaaSr1-a)2-zSi5ObNn：EuZ的组成物，其中，0.03<a<0.75，0<b<1，7＜n<9，0.03＜z＜0.3。
2.如权利要求1所述的荧光体，其中0.3≦a≦0.7，0<b<1，7＜n<9，0.04≦z≦0.2。
3.如权利要求1所述的荧光体，其中Ba:Sr:Eu为0.1～1.45:0.5～1.7:0.05～0.2。
4.如权利要求1所述的荧光体，其中Ba:Sr:Eu为0.7～1.25:0.62～1.24:0.06～0.13。
5.如权利要求1所述的荧光体，其中使用波长为455nm的光源照射该荧光体，该荧光体受激发而发出的发光主波长为580～680nm，其发光色调的CIE1931色度座标(x,y)为0.45≦x≦0.72，0.2≦y≦0.5。
6.如权利要求1所述的荧光体，其中该荧光体为包含复数个荧光体粒子。
7.如权利要求6所述的荧光体，其中该荧光体粒子具有平均粒径(D50)，该平均粒径(D50)为大于6.2微米(μm)并小于14.4微米(μm)。
8.如权利要求6所述的荧光体，其中该荧光体粒子具有10%粒径(D10)，该10%粒径(D10)为大于3.4微米(μm)并小于8.3微米(μm)。
9.如权利要求6所述的荧光体，其中该荧光体粒子具长轴及短轴，该长轴为该荧光体粒子的表面上任2点间的最长距离，该短轴为与该长轴垂直的相交线上该荧光体粒子的表面上任2点间的最长距离，其中，该长轴相对于该短轴的比值为大于1.24并小于4.1。
10.一种荧光体粒子，包括：
钡元素(Ba)、锶元素(Sr)、硅元素(Si)及氮元素(N)，其中，该荧光体粒子具有平均粒径(D50)，该平均粒径(D50)为大于6.2微米(μm)并小于14.4微米(μm)。
11.如权利要求10所述的荧光体粒子，其中该荧光体粒子具有10%粒径(D10)，该10%粒径(D10)为大于3.4微米(μm)并小于8.3微米(μm)。
12.如权利要求10所述的荧光体粒子，其中该荧光体粒子具长轴及短轴，该长轴为该荧光体粒子的表面上任2点间的最长距离，该短轴为与该长轴垂直的相交线上该荧光体粒子的表面上任2点间的最长距离，其中，该长轴相对于该短轴的比值为大于1.24并小于4.1。
13.一种荧光体粒子，包括：
钡元素(Ba)、锶元素(Sr)、硅元素(Si)及氮元素(N)，其中，该荧光体粒子具长轴及短轴，该长轴为该荧光体粒子的表面上任2点间的最长距离，该短轴为与该长轴垂直的相交线上该荧光体粒子的表面上任2点间的最长距离，其中，该长轴相对于该短轴的比值为大于1.24并小于4.1。
14.一种发光装置，包括：
半导体发光元件；以及
荧光层，包括如权利要求1至9中任一项所述的荧光体或权利要求10至13中任一项所述的荧光体粒子，其中该荧光体及该荧光体粒子受该半导体发光元件所发出的光激发，并转换发出具有相异于该半导体发光元件所发出的光波长的光。
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