[发明专利]一种低相位噪声正交压控振荡器

权利要求书

1.一种低相位噪声正交压控振荡器，其特征在于该振荡器由两个工作频率相同的第一差分电感电容压控振荡器（VCO1）、第二差分电感电容压控振荡器（VCO2），两对电容耦合管和分裂转换偏置管构成；其中所述第一差分电感电容压控振荡器（VCO1）的正同相输出端（I+）通过第四耦合电容（C4）接至第二差分电感电容压控振荡器（VCO2）；所述第一差分电感电容压控振荡器（VCO1）的负同相输出端（I-）通过第三耦合电容（C3）接至第二差分电感电容压控振荡器（VCO2）；所述第二差分电感电容压控振荡器（VCO2）的正正交    输出端（Q+）通过第一耦合电容（C1）接至第一差分电感电容压控振荡器（VCO1），所述第二差分电感电容压控振荡器（VCO2）的负正交输出端（Q-）通过第二耦合电容（C2）接至第一差分电感电容压控振荡器（VCO1）。

2.按照权利要求1所述的低相位噪声正交压控振荡器，其特征在于所述的第一差分电感电容压控振荡器（VCO1）单元结构包括第一电感（L1）、第七电容（C7）、第八电容（C8）、第一NMOS管（M1）、第二NMOS管（M2）、第七PMOS管（M7）、第八PMOS管（M8）；其中第一电感（L1）、第七电容（C7）、第八电容（C8）顺序连接组成谐振腔，第一NMOS管（M1）的栅极接第二NMOS管（M2）的漏极，第一NMOS管（M1）的漏极与第二NMOS管（M2）的栅极、谐振腔一端、第七PMOS管（M7）的漏极、第八PMOS管（M8）的栅极相连接，第一NMOS管（M1）的源极接分裂转换偏置管（M3、M4）的漏极；

第二NMOS管（M2）的栅极接第一NMOS管（M1）的漏极，第二NMOS管（M2）的漏极与第一NMOS管（M1）的栅极、谐振腔另一端、第八PMOS管（M8）的漏极、第七PMOS管（M7）的栅极相连接，第二NMOS管（M2）的源极接分裂转换偏置管（M5、M6）的漏极；第七PMOS管（M7）的源极接电源（VDD）；第八PMOS管（M8）的源极接电源（VDD）；

所述的第二差分电感电容压控振荡器（VCO2）单元结构包括第二电感（L2）、第五电容（C5）、第六电容（C6）、第九NMOS管（M9）、第十NMOS管（M10）、第十五PMOS管（M15）、第十六PMOS管（M16），其中第二电感（L2）、第五电容（C5）、第六电容（C6）顺序连接组成谐振腔，第九NMOS管（M9）的栅极接第十NMOS管（M10）的漏极，第九NMOS管（M9）的漏极与第十NMOS管（M10）的栅极、谐振腔一端、第十五PMOS管（M15）的漏极、第十六PMOS管（M16）的栅极相连接，第九NMOS管（M9）的源极接分裂转换偏置管（M11、M12）的漏极；第十NMOS管（M10）的栅极接第九NMOS管（M9）的漏极，第十NMOS管（M10）的漏极与第九NMOS管（M9）的栅极、谐振腔另一端、第十六PMOS管（M16）的漏极、第十五PMOS管（M15）的栅极相连接，第十NMOS管（M10）的源极接分裂转换偏置管（M13、M14）的漏极；第十五PMOS管（M15）的源极接电源（VDD）；第十六PMOS管（M16）的源极接电源（VDD）。