[发明专利]一种具有三维纳米孔洞结构SERS活性基片的快速制备方法无效
| 申请号： | 201310341461.0 | 申请日： | 2013-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN103389296A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 浦鹏;董明建 | 申请（专利权）人： | 苏州扬清芯片科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65;B82Y15/00 |
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| 地址： | 215000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 三维 纳米 孔洞 结构 sers 活性 快速 制备 方法 | ||
1.一种具有三维纳米孔洞结构SERS活性基片的快速制备方法，所述SERS活性基底是涂覆在基片上的贵金属三维纳米孔洞结构，所述贵金属材料为银、铜和/或金。
2.按权利要求1所述的SERS活性基片，其特征在于，其制作步骤如下：
(1)将基片表面依次用乙醇、丙酮、去离子水清洗；
(2)在干燥的基片表面依次蒸镀或溅射双层贵金属薄膜；
(3)将样品放入管式炉中退火；
(4)热处理后样品，放入浓硝酸溶液里刻蚀；
(5)刻蚀后样品用去离子水冲洗，氮气干燥后即得到具有SERS活性基片。
3.按权利要求1或2所述的SERS活性基片的快速制备方法，其特征在于，在所述贵金属三维纳米孔洞结构中，纳米孔洞的大小为200nm到500nm直径，形貌呈随机机构。
4.按权利要求1或2所述的SERS活性基片的快速制备方法，其特征在于，基片可以为硅片或导电玻璃。
5.按权利要求1或2所述的SERS活性基片的快速制备方法，其特征在于，所述贵双层金属膜层采用磁控溅射或金属蒸镀形成在基片上。
6.按权利要求1或2所述的SERS活性基片的快速制备方法，其特征在于，所述双层金属膜层的厚度分别为100nm到300nm。
7.按权利要求1或2所述的SERS活性基片的快速制备方法，其特征在于，金属薄膜的退火温度为100-150℃，退火时间为15-30分钟。
8.按权利要求1或2所述的SERS活性基片的快速制备方法，其特征在于，硝酸刻蚀液的浓度为10-15％，刻蚀温度为20-40℃，刻蚀时间为5-10分钟。
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