[发明专利]一种具有正三角锥形SERS活性基片的快速制备方法无效
| 申请号： | 201310341015.X | 申请日： | 2013-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN103398996A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 浦鹏;董明建 | 申请（专利权）人： | 苏州扬清芯片科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 三角 锥形 sers 活性 快速 制备 方法 | ||
1.一种具有正三角锥形SERS活性基片的快速制备方法，所述正三角锥形SERS活性基底是涂覆在基片上的贵金属纳米锥体阵列结构，所述贵金属材料为银、铜和/或金。
2.按权利要求1所述的正三角锥形SERS活性基片，其特征在于，其制作步骤如下：
(1)将聚苯乙烯微球在基片表面单层平铺；
(2)在聚苯乙烯修饰的基片表面蒸镀或溅射贵金属薄膜；
(3)将基片放置于超声溶液里，超声处理清除掉聚苯乙烯微球得到SERS活性基片。
3.按权利要求1或2所述的正三角锥形SERS活性基片的快速制备方法，其特征在于，在所述贵金属纳米锥体阵列结构中，纳米锥体根部直径约为100-500nm，锥体针尖直径为10-20nm，纳米锥体长度为50-1000nm。
4.按权利要求1或2所述的正三角锥形SERS活性基片的快速制备方法，其特征在于，所述贵金属膜层的厚度为100nm到1000nm。
5.按权利要求1或2所述的正三角锥形SERS活性基片的快速制备方法，其特征在于，所述贵金属膜层采用磁控溅射或金属蒸镀形成在基片上。
6.按权利要求1或2所述的正三角锥形SERS活性基片的快速制备方法，其特征在于，基片可以为硅片或导电玻璃。
7.按权利要求1或2所述的正三角锥形SERS活性基片的快速制备方法，其特征在于，聚苯乙烯微球的直径为50-500nm。
8.按权利要求1或2所述的正三角锥形SERS活性基片的快速制备方法，其特征在于，超声溶液可以为无水乙醇或四氯化碳。
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