[发明专利]先蚀后封芯片正装凸点三维系统级金属线路板及工艺方法

权利要求书

1.一种先蚀后封芯片正装凸点三维系统级金属线路板的工艺方法，所述方法包括如下步骤：

步骤一、取金属基板

步骤二、金属基板表面预镀微铜层

步骤三、贴光阻膜作业

在完成预镀微铜层的金属基板正面及背面分别贴上可进行曝光显影的光阻膜；

步骤四、金属基板背面去除部分光阻膜

利用曝光显影设备将步骤三完成贴光阻膜作业的金属基板背面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板背面后续需要进行电镀的区域图形；

步骤五、电镀金属线路层

在步骤四中金属基板背面去除部分光阻膜的区域内电镀上金属线路层；

步骤六、贴光阻膜作业

在步骤五中金属基板背面贴上可进行曝光显影的光阻膜；

步骤七、金属基板背面去除部分光阻膜

利用曝光显影设备将步骤六完成贴光阻膜作业的金属基板背面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板背面后续需要进行电镀的区域图形；

步骤八、电镀高导电金属线路层

在步骤七中金属基板背面去除部分光阻膜的区域内电镀上高导电金属线路层；

步骤九、去除光阻膜

去除金属基板表面的光阻膜；

步骤十、环氧树脂塑封

在金属基板背面的金属线路层表面利用环氧树脂材料进行塑封保护；

步骤十一、环氧树脂表面研磨

在完成环氧树脂塑封后进行环氧树脂表面研磨；

步骤十二、贴光阻膜作业

在完成步骤十一的金属基板正面和背面贴上可进行曝光显影的光阻膜；

步骤十三、金属基板正面去除部分光阻膜

利用曝光显影设备将步骤十二完成贴光阻膜作业的金属基板正面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板正面后续需要进行蚀刻的区域图形；

步骤十四、化学蚀刻

将步骤十三中金属基板正面完成曝光显影的区域进行化学蚀刻；

步骤十五、电镀金属层

在完成步骤十四的金属基板正面电镀上金属层，金属层电镀完成后即在金属基板上形成相应的基岛上部和引脚上部；

步骤十六、贴光阻膜作业

在完成步骤十五的金属基板正面和背面贴上可进行曝光显影的光阻膜；

步骤十七、金属基板正面去除部分光阻膜

利用曝光显影设备将步骤十六完成贴光阻膜作业的金属基板正面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板正面后续需要进行电镀的区域图形；

步骤十八、电镀金属柱子

在步骤十七中金属基板正面去除部分光阻膜的区域内电镀上金属柱子；

步骤十九、去除光阻膜

去除金属基板表面的光阻膜；

步骤二十、涂覆粘结物质

在步骤十五形成的基岛上部正面涂覆导电或不导电粘结物质；

步骤二十一、装片

在步骤二十的导电或不导电物质上植入芯片；

步骤二十二、金属线键合

在芯片正面与引脚正面之间进行键合金属线作业；

步骤二十三、包封

将步骤二十二中的金属基板正面采用塑封料进行塑封；

步骤二十四、环氧树脂表面研磨

在完成步骤二十三的环氧树脂塑封后进行环氧树脂表面研磨；

步骤二十五、电镀抗氧化金属层或被覆抗氧化剂

在完成步骤二十四后的金属基板表面裸露在外的金属进行电镀抗氧化金属层或被覆抗氧化剂；

步骤二十六、植球

在完成步骤二十五的金属柱子顶部植入金属球。

2.一种由权利要求1制成的先蚀后封芯片正装凸点三维系统级金属线路板，其特征在于它包括金属基板框（1），在所述金属基板框（1）内设置有基岛（2）和引脚（3），在所述基岛（2）的正面通过或导电或不导电物质（4）设置有芯片（5），所述芯片（5）正面与引脚（3）正面之间用金属线（6）相连接，在所述引脚（3）正面设置有导电柱子（7），所述基岛（2）外围的区域、基岛（2）和引脚（3）之间的区域、引脚（3）与引脚（3）之间的区域、基岛（2）和引脚（3）上部的区域、基岛（2）和引脚（3）下部的区域以及芯片（5）、金属线（6）和导电柱子（7）外均包封有塑封料（8），所述塑封料（8）与导电柱子（7）的顶部齐平，在所述金属基板框（1）、引脚（3）和导电柱子（7）露出塑封料（8）的表面镀有抗氧化层或被覆抗氧化剂（9），在所述导电柱子（7）顶部设置有金属球（10）。