[发明专利]一种制备新型前驱物合金及吸收层薄膜的方法

权利要求书

1.一种制备新型多元前趋物合金及吸收层薄膜的方法，其特征为：将重量比例的材料放入真空感应熔炼炉中进行熔炼，然后浇铸在三寸的低碳钢的模具中，待降温12小时候脱膜取出靶材胚体经机加工成三寸溅镀用靶材备用；然后以无碱玻璃为基板，接着把所需镀着玻璃基材和溅镀用靶材放入溅镀腔体中，先以DC电源溅镀第一层500nm厚的Mo薄膜，然后溅镀第二层CIG吸收层前趋物薄膜，接着将镀制好薄膜放在硒化炉中进行后硒化，然后取出试片，即得。

2.一种制备新型多元前趋物合金及吸收层薄膜的方法，其特征为：把三元合金成分重量比例控制范围为：Cu/(In+Ga)=1-1.56、Ga/(In+Ga)=0.29-0.52；首先将重量比例的材料放入真空感应熔炼炉中进行熔炼，真空度5×10^-2torr，熔解温度为650℃/15mins，然后浇铸在三寸的低碳钢的模具中，待降温12小时候脱膜取出靶材胚体经机加工成三寸溅镀用靶材备用；然后以无碱玻璃为基板，接着把所需镀着玻璃基材和溅镀用靶材放入溅镀腔体中，以真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10^-5-0.9×10^-5 torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2×10^-3torr，镀率40nm/min先以DC电源溅镀第一层500nm厚的Mo薄膜，然后使用工作压力2.5×10^-3torr，镀率12nm/min来溅镀第二层1000nm厚的CIG吸收层前趋物薄膜，接着将镀制好薄膜放在硒化炉中进行后硒化，硒化温度500-650℃，时间10-30min，硒化后薄膜厚度约2000nm厚，然后取出试片，即得。

3.如权利要求2所述的一种制备新型多元前趋物合金及吸收层薄膜的方法，其特征为：把三元合金成分重量比例控制范围为：Cu/(In+Ga)=1.28、Ga/(In+Ga)=0.40；首先将重量比例的材料放入真空感应熔炼炉中进行熔炼，真空度5×10^-2torr，熔解温度为650℃/15mins，然后浇铸在三寸的低碳钢的模具中，待降温12小时候脱膜取出靶材胚体经机加工成三寸溅镀用靶材备用；然后以无碱玻璃为基板，接着把所需镀着玻璃基材和溅镀用靶材放入溅镀腔体中，以真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.8×10^-5 torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2×10^-3torr，镀率40nm/min先以DC电源溅镀第一层500nm厚的Mo薄膜，然后使用工作压力2.5×10^-3torr，镀率12nm/min来溅镀第二层1000nm厚的CIG吸收层前趋物薄膜，接着将镀制好薄膜放在硒化炉中进行后硒化，硒化温度580℃，时间20min，硒化后薄膜厚度约2000nm厚，然后取出试片，即得。

4.一种制备新型多元前趋物合金及吸收层薄膜的方法，其特征为：把三元合金成分重量比例控制范围为：Cu/(In+Ga)=1-1.56、Ga/(In+Ga)=0.29-0.52，及添加第四元素Al/(In+Ga)=0.1-0.5、Ag/(In+Ga)=0.1-0.5或Au/(In+Ga)=0.1-0.5；首先将重量比例的材料放入真空感应熔炼炉中进行熔炼，真空度5×10^-2torr，熔解温度在650℃/15mins，然后浇铸在三寸的低碳钢的模具中，待降温12小时候脱膜取出靶材胚体经机加工成三寸溅镀用靶材备用；然后以无碱玻璃为基板，接着把所需镀着玻璃基材和溅镀用靶材放入溅镀腔体中，以真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10^-5-0.9×10^-5 torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2×10^-3torr，镀率40nm/min先以DC电源溅镀第一层500nm厚的Mo薄膜，然后使用工作压力2.5×10^-3torr，镀率12nm/min来溅镀第二层1000nm厚的CIG吸收层前趋物薄膜，接着将镀制好薄膜放在硒化炉中进行后硒化，硒化温度500-650℃，时间10-30min，硒化后薄膜厚度约2000nm厚，然后取出试片，即得。