[发明专利]一种半导体器件及其制作的方法

权利要求书

1.一种制作半导体器件的方法，包括： 

提供半导体衬底； 

在所述半导体衬底上形成多晶硅层； 

在所述多晶硅层上形成具有第一开口的第一硬掩膜层； 

在所述第一开口中形成第二硬掩膜层； 

图案化所述第一硬掩膜层和所述第二硬掩膜层，以形成与所述第一开口方向垂直的栅极掩膜图案； 

去除所述第二硬掩膜层； 

根据图案化的所述第一硬掩膜层刻蚀所述多晶硅层，以形成第一多晶硅栅极层和第二多晶硅栅极层； 

在所述第一多晶硅栅极层和所述第二多晶硅栅极层之间形成第一阻挡层。 

2.权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在形成所述第一阻挡层之后去除所述第一硬掩膜层，以露出所述第一多晶硅栅极层和所述第二多晶硅栅极层的步骤。 

3.权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括在去除所述第一硬掩膜层之后执行再氧化工艺，以在所述第一多晶硅栅极层和所述第二多晶硅栅极层的表面形成第二阻挡层的步骤。 

4.权利要求3所述的方法，其特征在于，还包括在执行再氧化工艺之后分别对所述第一多晶硅栅极层和所述第二多晶硅栅极层执行预掺杂的步骤。 

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，还包括在执行预掺杂之后在所述第一阻挡层和所述第二阻挡层上形成硅化物层的步骤。 

6.权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述第一开口的步骤为在所述第一硬掩膜层中形成第二开口，在所述第二开口的底部和侧面以及具有所述第二开口的所述第一硬掩膜层上形成第三硬掩膜层，刻蚀所述第三硬掩膜层以在所述第二开口的侧面形成侧壁，以形成所述第一开口。 

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一硬掩膜层的材料与所述第三硬掩膜层的材料相同。 

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一硬掩膜层的材料为氧化硅。 

9.权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二硬掩膜层的材料为氮化硅。 

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在所述第一开口中形成所述第二硬掩膜层之后采用化学机械研磨去除多余的第二硬掩膜层以使所述第二硬掩膜层与所述第一硬掩膜层的顶部齐平的步骤。 

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过氧化工艺以在所述第一多晶硅栅极层和所述第二多晶硅栅极层之间形成所述第一阻挡层。 

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一阻挡层的材料为二氧化硅。 

13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多晶硅层和所述半导体衬底之间还形成有栅极介电层。 

14.一种半导体器件，包括： 

半导体衬底； 

位于所述半导体衬底上的第一多晶硅栅极层和第二多晶硅栅极层； 

位于所述第一多晶硅栅极层和所述第二多晶硅栅极层之间以及表面的阻挡层。 

15.如权利要求14所述的器件，其特征在于，所述第一多晶硅栅极层为N型离子掺杂，所述第二多晶硅栅极层为P型离子掺杂。 

16.如权利要求14所述的器件，其特征在于，所述第一多晶硅栅极层为P型离子掺杂，所述第二多晶硅栅极层为N型离子掺杂。 

17.如权利要求14所述的器件，其特征在于，所述阻挡层上形成有硅化物层。 

18.如权利要求14所述的器件，其特征在于，所述阻挡层的材料为二氧化硅。