[发明专利]先蚀后封三维系统级芯片倒装凸点封装结构及工艺方法

权利要求书

1.一种先蚀后封三维系统级芯片倒装凸点封装的工艺方法，所述方法包括如下步骤：

步骤一、取金属基板

步骤二、金属基板表面预镀微铜层

步骤三、贴光阻膜作业

在完成预镀微铜层的金属基板正面及背面分别贴上可进行曝光显影的光阻膜；

步骤四、金属基板背面去除部分光阻膜

利用曝光显影设备将步骤三完成贴光阻膜作业的金属基板背面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板背面后续需要进行电镀的区域图形；

步骤五、电镀金属线路层

在步骤四中金属基板背面去除部分光阻膜的区域内电镀上金属线路层；

步骤六、贴光阻膜作业

在步骤五中金属基板背面贴上可进行曝光显影的光阻膜；

步骤七、金属基板背面去除部分光阻膜

利用曝光显影设备将步骤六完成贴光阻膜作业的金属基板背面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板背面后续需要进行电镀的区域图形；

步骤八、电镀高导电金属线路层

在步骤七中金属基板背面去除部分光阻膜的区域内电镀上高导电金属线路层，形成相应的基岛和引脚；

步骤九、去除光阻膜

去除金属基板表面的光阻膜；

步骤十、环氧树脂塑封

在金属基板背面的金属线路层表面利用环氧树脂材料进行塑封保护；

步骤十一、环氧树脂表面研磨

在完成环氧树脂塑封后进行环氧树脂表面研磨；

步骤十二、贴光阻膜作业

在完成步骤十一的金属基板正面和背面贴上可进行曝光显影的光阻膜；

步骤十三、金属基板正面去除部分光阻膜

利用曝光显影设备将步骤十二完成贴光阻膜作业的金属基板正面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板正面后续需要进行蚀刻的区域图形；

步骤十四、化学蚀刻

将步骤十三中金属基板正面完成曝光显影的区域进行化学蚀刻；

步骤十五、贴光阻膜作业

在完成步骤十四的金属基板正面和背面贴上可进行曝光显影的光阻膜；

步骤十六、金属基板正面去除部分光阻膜

利用曝光显影设备将步骤十五完成贴光阻膜作业的金属基板正面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板正面后续需要进行电镀的区域图形；

步骤十七、电镀金属柱子

在步骤十六中金属基板正面去除部分光阻膜的区域内电镀上金属柱子；

步骤十八、去除光阻膜

去除金属基板表面的光阻膜；

步骤十九、涂覆粘结物质

在步骤十八的基岛正面涂覆导电或不导电粘结物质；

步骤二十、装片

在步骤十九的导电或不导电物质上植入第一芯片；

步骤二十一、金属线键合

在第一芯片正面与引脚正面之间进行键合金属线作业；

步骤二十二、包封

将步骤二十一中的金属基板正面采用塑封料进行塑封；

步骤二十三、环氧树脂表面研磨

在完成步骤二十二的环氧树脂塑封后进行环氧树脂表面研磨；

步骤二十四、电镀抗氧化金属层或被覆抗氧化剂

在完成步骤二十三后的金属基板表面裸露在外的金属进行电镀抗氧化金属层或被覆抗氧化剂；

步骤二十五、倒装芯片

在步骤二十四的基岛和引脚背面倒装第二芯片；

步骤二十六、包封

将步骤二十五中的金属基板背面采用塑封料进行塑封；

步骤二十七、植球

在步骤二十四的电镀抗氧化金属层或批覆抗氧化剂的金属柱子顶部植入金属球；

步骤二十八、切割成品

将步骤二十七完成植球的半成品进行切割作业，制得先蚀后封三维系统级芯片倒装凸点封装结构。