[发明专利]图形化方法在审
| 申请号： | 201310338349.1 | 申请日： | 2013-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN104347392A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;孟晓莹 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图形 方法 | ||
1.一种图形化方法，其特征在于，包括：
提供基底；
在所述基底上形成待刻蚀层，所述待刻蚀层的材料为硅、氧化硅、氮化硅或氮氧化硅；
在所述待刻蚀层上形成BN薄膜层；
在所述BN薄膜层上形成具有窗口的光刻胶；
以所述光刻胶为掩膜，刻蚀所述BN薄膜层，形成图形化的BN薄膜层；
以所述图形化的BN薄膜层为掩膜刻蚀所述待刻蚀层。
2.如权利要求1所述的图形化方法，其特征在于，形成BN薄膜层的方法为化学气相沉积或物理气相沉积。
3.如权利要求2所述的图形化方法，其特征在于，所述化学气相沉积的反应气体为BCl3和NH3，反应的温度大于100℃。
4.如权利要求1所述的图形化方法，其特征在于，在所述BN薄膜层上形成光刻胶之前，在所述BN薄膜层上形成底部抗反射层，所述光刻胶形成在底部抗反射层上。
5.如权利要求1或4所述的图形化方法，其特征在于，在所述待刻蚀层上形成BN薄膜层之前，在所述待刻蚀层上形成无定形碳层，所述BN薄膜层形成在无定形碳层上。
6.如权利要求5所述的图形化方法，其特征在于，在所述待刻蚀层上形成无定形碳层之前，在所述待刻蚀层上形成第一介质抗反射层，所述无定形碳层形成在第一介质抗反射层上。
7.如权利要求5或6所述的图形化方法，其特征在于，在所述无定形碳层上形成BN薄膜层之前，在所述无定形碳层上形成第二介质抗反射层，所述BN薄膜层形成在第二介质抗反射层上。
8.如权利要求1所述的图形化方法，其特征在于，形成具有窗口的光刻胶后，刻蚀所述BN薄膜层前，还包括：对所述窗口的侧壁进行平滑处理。
9.如权利要求8所述的图形化方法，其特征在于，平滑处理的方法为：He或Ar等离子体刻蚀。
10.如权利要求4所述的图形化方法，其特征在于，所述底部抗反射层为有机底部抗反射层或无机底部抗反射层。
11.如权利要求6所述的图形化方法，其特征在于，所述第一介质抗反射层为单层结构或叠层结构；
单层结构的第一介质抗反射层为氮氧化硅层或氧化硅层；
叠层结构的第一介质抗反射层为氮氧化硅层和氧化硅层的叠层结构。
12.如权利要求7所述的图形化方法，其特征在于，所述第二介质抗反射层的材料为单层结构或叠层结构；
单层结构的第二介质抗反射层为氮氧化硅层或氧化硅层；
叠层结构的第二介质抗反射层为氮氧化硅层和氧化硅层的叠层结构。
13.如权利要求1所述的图形化方法，其特征在于，所述待刻蚀层的材料为硅，刻蚀后的待刻蚀层为栅极。
14.如权利要求1所述的图形化方法，其特征在于，所述待刻蚀层的材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，刻蚀待刻蚀层后，在待刻蚀层中形成了接触孔。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
