[发明专利]多晶硅电阻的形成方法

权利要求书

1.一种多晶硅电阻的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有隔离结构；

在所述隔离结构表面形成若干分立的多晶硅层，暴露出部分隔离结构的表面，所述若干分立的多晶硅层用于形成若干多晶硅电阻，所述若干多晶硅电阻之间至少具有两种电阻率；

在所述隔离结构表面形成第一掩膜层，同时在若干多晶硅层表面分别形成第二掩膜层，所述第二掩膜层暴露出部分多晶硅层的表面，单个多晶硅层形成的多晶硅电阻的电阻率随着所述单个多晶硅层被第二掩膜层覆盖面积的增大而增大；

以所述第一掩膜层和第二掩膜层为掩膜，对多晶硅层进行离子注入；

对所述离子注入后的多晶硅层进行退火处理，形成若干多晶硅电阻。

2.根据权利要求1所述的多晶硅电阻的形成方法，其特征在于，单个多晶硅层形成的多晶硅电阻的电阻率随所述单个多晶硅层被第二掩膜层覆盖面积与所述单个多晶硅层面积比值的增大而增大。

3.根据权利要求1所述的多晶硅电阻的形成方法，其特征在于，形成所述第一掩膜层和第二掩膜层的方法包括：在所述隔离结构表面和多晶硅层表面形成掩膜材料层，对所述掩膜材料层进行刻蚀形成位于隔离结构表面的第一掩膜层和位于多晶硅层表面的第二掩膜层。

4.根据权利要求3所述的多晶硅电阻的形成方法，其特征在于，所述第二掩膜层包括若干分立的掩膜单元。

5.根据权利要求4所述的多晶硅电阻的形成方法，其特征在于，相邻掩膜单元之间的间距为50纳米～50微米。

6.根据权利要求5所述的多晶硅电阻的形成方法，其特征在于，所述掩膜单元沿与半导体衬底表面平行方向的横截面为矩形、正方形、圆形、三角形或多边形。

7.根据权利要求6所述的多晶硅电阻的形成方法，其特征在于，所述沿与半导体衬底表面平行方向的横截面为矩形、正方形、三角形或多边形的掩膜单元的边长为0.1微米～10微米。

8.根据权利要求6所述的多晶硅电阻的形成方法，其特征在于，所述沿与半导体衬底表面平行方向的横截面为圆形的掩膜单元的直径为0.1微米～10微米。

9.根据权利要求4所述的多晶硅电阻的形成方法，其特征在于，不同掩膜单元沿与半导体衬底表面平行方向的横截面的形状、面积可以相同或不相同。

10.根据权利要求1所述的多晶硅电阻的形成方法，其特征在于，单个多晶硅层表面的掩膜单元的数量为0～100。

11.根据权利要求10所述的多晶硅电阻的形成方法，其特征在于，不同的多晶硅层表面的掩膜单元的数量相同或不相同。

12.根据权利要求1所述的多晶硅电阻的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料为光刻胶层、抗反射图层、氮化硅或氧化硅；所述第二掩膜层的材料为光刻胶层、抗反射图层、氮化硅或氧化硅。

13.根据权利要求1所述的多晶硅电阻的形成方法，其特征在于，所述离子注入离子为N型离子，包括：磷、砷或锑中的一种或几种。

14.根据权利要求1所述的多晶硅电阻的形成方法，其特征在于，所述离子注入离子为P型离子，包括：硼、镓或铟中的一种或几种。

15.根据权利要求13或14所述的多晶硅电阻的形成方法，其特征在于，所述注入离子的剂量为1E13cm^-2～1E16cm^-2，能量为1KeV～100KeV。

16.根据权利要求1所述的多晶硅电阻的形成方法，其特征在于，所述退火处理的温度为500℃～1200℃，在N₂、He、Ar或Ne中的一种或几种气体中进行。