[发明专利]一种多功能育苗基质有效

专利信息
申请号: 201310337626.7 申请日: 2013-08-06
公开(公告)号: CN103392575A 公开(公告)日: 2013-11-20
发明(设计)人: 胡永军;田素波;李小刚;朱慧;潘子龙 申请(专利权)人: 山东省寿光蔬菜产业集团有限公司
主分类号: A01G31/00 分类号: A01G31/00;C05G3/00
代理公司: 济南舜源专利事务所有限公司 37205 代理人: 李江
地址: 262700 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 多功能 育苗 基质
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种多功能育苗基质,适宜于茄果类蔬菜穴盘育苗,属于农业技术领域。

背景技术

蔬菜穴盘育苗已广泛应用于生产。传统的穴盘育苗技术就是用草炭、蛭石、珍珠岩等轻质材料作基质,以不同孔穴的穴盘为容器的育苗技术。其特点是:播种时一穴一粒,成苗时一穴一株,每株幼苗都有独立的空间,水分、养分互不竞争,苗龄比常规育苗的缩短10~20天,成苗快,无土传病害,而且幼苗根坨不易散,根系完整,定植不伤根,缓苗快,成活率高,适合长距离运输,有利于规范化管理。

在实现本发明过程中,发明人发现现有技术中至少存在以下问题:传统的穴盘育苗技术由于穴盘育苗环境等因素往往容易造成秧苗徒长,造成秧苗质量下降。为此,生产上多采用喷施生长抑制剂的方法控制秧苗徒长。目前使用的生长抑制剂种类和数量比较混乱,常常导致种苗的激素中毒,同时,多种生长抑制剂对下茬作物有残毒危害;传统的育苗基质需要大量的草炭,不利用保护环境。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对以上问题,提供一种多功能育苗基质,本发明的育苗基质适于日光温室蔬菜育苗,该基质不仅能够控制秧苗徒长,又可有效避免喷施常规生长抑制剂所带来的副作用,育出的苗在根系活力、壮苗指数及产量方面都优于现有常规育苗基质。同时,减少了草炭的使用量,有利于节约使用草炭资源,并达到农业废弃物的资源化利用、减少环境污染的目的,具有明显的经济效益、社会效益和生态效益。

为解决上述问题,本发明采取如下技术方案:一种多功能育苗基质,育苗基质包括以下组分:EM菌发酵玉米秸秆、珍珠岩、蛭石和调环酸钙。EM菌发酵玉米秸秆、珍珠岩与蛭石按体积比6:3:1配制后,每立方米加调环酸钙10~20g,混匀。

作为上述技术方案的进一步改进:

所述EM菌发酵玉米秸秆,通过下列步骤制作而成:

(1)将玉米秸粉碎至2~3cm,调节C/N比至20~30;

(2)喷施EM菌液,每1000kg玉米秸喷施EM菌液30kg,混合均匀,加水至含水量60-70%;

(3)覆盖塑料薄膜保温、保湿,在30℃~40℃条件下进行堆沤发酵,期间进行透气、补水和翻动,经8~10天后堆沤玉米秸秆粉碎物颜色变深为止。

所述珍珠岩的粒径为1~2mm。

所述蛭石的粒径为1~2mm。

更进一步改进:所述EM菌液按下列比例配制:EM原液0.5kg兑水200kg,加入0.5kg红糖后混合而成。

更进一步改进:所述EM原液的活性菌数≥2×109cfu/g。

调环酸钙。化学名称:3,5-氧代-4-丙酰基环已烷羧酸钙盐。通过植物种子、根系和叶面吸收抑制赤霉酸的合成。对轮作植物无残留毒性,对环境无污染。主要生理作用:能够缩短植物的茎杆伸长、控制作物节端生长,使茎杆粗壮,植株矮化,防止倒伏。

采用以上技术方案,与现有技术相比,具有以下优点:

1)本发明的育苗基质适于日光温室蔬菜培育壮苗,在育苗过程中不喷施生长抑制剂的情况下,不仅能够控制秧苗徒长,又可有效避免喷施常规生长抑制剂所带来的副作用,育出的秧苗在根系活力、壮苗指数及定植后产量方面都优于现有常规育苗基质。

2)本发明的育苗基质减少了草炭的使用量,有利于节约使用草炭资源,并达到作物秸秆的资源化利用、减少环境污染的目的,具有明显的经济效益、社会效益和生态效益。

3)本发明的育苗基质随苗定植到土中后,基质中的有益微生物能够迅速在作物根际周围形成优势菌群,一方面可活化土壤中营养元素,提高肥料利用率,减少无机化肥的使用量;另一方面有效拮抗土传病害,降低土传病害发病率。

下面结合具体实施方式对本发明作进一步说明。

具体实施方式

本实施例是为了便于理解本发明,而不以任何方式限制本发明的权利要求和核心内容。

实施例1

日光温室秋延迟茬栽培番茄,种植品种为粉佳美,7月5日播种,8月10日定植,地点在山东寿光某蔬菜大棚。

处理1:采用本发明的多功能育苗基质进行穴盘育苗:育苗基质包括EM菌发酵玉米秸秆、珍珠岩、蛭石和调环酸钙,其中,EM菌发酵玉米秸秆、珍珠岩与蛭石的体积比为6:3:1,调环酸钙的用量为20g/m3。珍珠岩的粒径为1~2mm,蛭石的粒径为1~2mm。

EM菌发酵玉米秸秆,通过下列步骤制作而成:

(1)将玉米秸粉碎至2~3cm,调节C/N比至20~30;

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