[发明专利]体波谐振器及其制造方法

权利要求书

1.一种压电体波谐振器，其特征在于，包括：

多层结构；

衬底，所述衬底的表面具有至少一个凹槽，所述多层结构覆盖所述至少一个凹槽，通过形成的至少一个空腔构成所述压电体波谐振器的声反射结构；

其中，在每个空腔中，所述多层结构向该空腔的底部凹陷，且不与空腔的底部接触；或者，所述多层结构向远离该空腔的底部的方向凸起，凸起的高度大于或等于预定凸起高度。

2.根据权利要求1所述的压电体波谐振器，其特征在于，在多层结构向该空腔的底部凹陷的情况下，对于每个空腔，所述多层结构与该空腔的底部之间的最小距离大于预定距离。

3.根据权利要求2所述的压电体波谐振器，其特征在于，所述预定距离为0.1μm。

4.根据权利要求1所述的压电体波谐振器，其特征在于，所述预定凸起高度为0.1μm。

5.根据权利要求1所述的压电体波谐振器，其特征在于，在每个凹槽的开口平面内，连接该凹槽的开口边缘两点的最长直线的长度与该凹槽的开口的最大内接圆的直径之比大于1。

6.根据权利要求1所述的压电体波谐振器，其特征在于，所述多层结构包括下电极、覆盖于所述下电极上方的压电层、以及覆盖于所述压电层上方的上电极，其中，在所述多个凹槽以外的区域，所述上电极与所述下电极不重叠。

7.根据权利要求1所述的压电体波谐振器，其特征在于，所述至少一个凹槽的开口形状包括：圆形、多边形、不规则形。

8.根据权利要求1所述的压电体波谐振器，其特征在于，进一步包括：

支撑物，配置在所述衬底上方；

盖层，由所述支撑物支撑，凸起的所述多层结构与所述盖层之间具有间隔。

9.一种压电体波谐振器的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成至少一个凹槽；

在所述至少一个凹槽中填充牺牲材料；

在所述衬底上方形成多层结构，所述多层结构覆盖所述衬底以及所述至少一个凹槽；

将所述凹槽中的牺牲材料移除，形成至少一个空腔构成所述压电体波谐振器的声反射结构；

其中，通过蚀刻形成所述至少一个凹槽，并且，通过控制蚀刻时间来控制每个凹槽的深度，避免所述牺牲材料被移除后多层结构与空腔的底部接触；

或者，所述多层结构向远离该空腔的底部的方向凸起，凸起的高度大于或等于预定凸起高度。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述凹槽的数量为多个，并且，在所述衬底上形成至少一个凹槽时，通过控制形成的凹槽的数量和/或参数来控制在所述牺牲材料被移除后所述多层结构向凹槽底部凹陷的程度，并避免所述多层结构与空腔的底部接触。

11.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，在多层结构向该空腔的底部凹陷的情况下，对于每个空腔，所述多层结构与该空腔的底部之间的最小距离大于预定距离。

12.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述预定距离为0.1μm。

13.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述预定凸起高度为0.1μm。

14.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，在每个凹槽的开口平面内，连接该凹槽的开口边缘两点的最长直线的长度与该凹槽的开口的最大内接圆的直径之比大于1。

15.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述多层结构包括下电极、覆盖于所述下电极上方的压电层、以及覆盖于所述压电层上方的上电极，其中，在所述多个凹槽以外的区域，所述上电极与所述下电极不重叠。

16.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述至少一个凹槽的开口形状包括：圆形、多边形、不规则形。

17.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，进一步包括：

在将所述凹槽中的牺牲材料移除之前，在所述衬底上方配置支撑物；

将所述凹槽中的牺牲材料移除，形成至少一个空腔构成所述压电体波谐振器的声反射结构；

其中，通过控制所述空腔与所述多层结构的接触表面形状，避免所述牺牲材料被移除后所述多层结构向上凸起超过所述支撑物的高度。

18.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，进一步包括：

在所述衬底上方配置支撑物；

提供盖层，由所述支撑物支撑，在多层结构向远离该空腔的底部的方向凸起情况下，凸起的所述多层结构与所述盖层之间具有间隔。