[发明专利]半导体结构的形成方法

说明书

一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底表面形成第一停止层、位于第一停止层表面的第一牺牲层、位于所述第一牺牲层的表面的第二停止层、位于所述第二停止层表面的第二牺牲层；刻蚀所述第二牺牲层、第二停止层、第一牺牲层、第一停止层和半导体衬底，形成凹槽；在凹槽内填充绝缘介质材料，形成表面与第二牺牲层的表面齐平的隔离结构；去除所述第二牺牲层，暴露出部分隔离结构的侧壁和顶面；去除所述第二停止层，同时刻蚀所述暴露的部分隔离结构，使隔离结构的顶部宽度减小；去除第一牺牲层，在所述第一氧化物层表面形成浮栅。上述方法可以提高形成的浮栅的质量。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体结构的形成方法。

背景技术

在目前的半导体产业中，集成电路产品主要可分为三大类型：逻辑、存储器和模拟电路，其中存储器件在集成电路产品中占了相当大的比例，如RAM（随机存储器）、DRAM（动态随机存储器）、ROM(只读存储器)、EPROM(可擦除可编程只读存储器)、FLASH(快闪存储器)和FRAM（铁电存储器）等。存储器中的闪存器件的发展尤为迅速。它的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息，具有集成度高、较快的存取速度和易于擦除等多项优点，因而在微机、自动化控制等多项领域得到了广泛的应用。闪存结构一般包括浮栅和控制栅。

请参考图1至图4，为现有技术形成闪存的浮栅结构的示意图。

请参考图1，提供半导体衬底10，在所述半导体衬底10表面依次形成氧化层20和位于所述氧化层20表面的氮化硅层30，在所述氮化硅层和氧化层内形成开口，沿所述开口刻蚀半导体衬底10形成凹槽，在所述凹槽内填充氧化硅，形成隔离结构40，所述隔离结构40的表面与氮化硅层30的表面齐平。

请参考图2，去除所述氮化硅层30（请参考图2），暴露出位于氧化层20上方的部分隔离结构40。

请参考图3，在所述氧化层20和隔离结构40表面形成多晶硅层50，所述多晶硅层填充满相邻隔离结构40之间的空隙。

请参考图4，对所述多晶硅层进行平坦化，使其表面与隔离结构40表面齐平。所述平坦化后的多晶硅层51与其下方的氧化层20构成浮栅结构。

现有技术形成的浮栅结构中的多晶硅层中容易出现空洞，会影响最终形成的闪存的性能。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种半导体结构的形成方法，提高形成的浮栅结构的质量。

为解决上述问题，本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成第一停止层、位于第一停止层表面的第一牺牲层、位于所述第一牺牲层的表面的第二停止层、位于所述第二停止层表面的第二牺牲层；刻蚀所述第二牺牲层、第二停止层、第一牺牲层、第一停止层和半导体衬底，形成凹槽；在所述凹槽内填充绝缘介质材料，形成隔离结构，所述隔离结构的表面与第二牺牲层的表面齐平；去除所述第二牺牲层，暴露出部分隔离结构的侧壁和顶面；去除所述第二停止层，同时刻蚀所述暴露的部分隔离结构，使所述隔离结构的顶部宽度减小；去除所述第一牺牲层，在所述第一氧化物层表面形成浮栅。

可选的，所述第一牺牲层和第一停止层的材料不同。

可选的，所述第二停止层的材料与第二牺牲层的材料不同。

可选的，所述第二停止层的材料与隔离结构的材料相同。

可选的，所述第一停止层的材料为氧化硅，所述第一牺牲层的材料为氮化硅；所述第二停止层的材料为氧化硅，所述第二牺牲层的材料为氮化硅。

可选的，所述第一停止层的厚度为

可选的，所述第一牺牲层的厚度为

可选的，所述第二停止层的厚度为

可选的，所述第二牺牲层的厚度为