[发明专利]芯片封装结构的制作方法有效
| 申请号: | 201310336975.7 | 申请日: | 2013-08-05 |
| 公开(公告)号: | CN104167369B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
| 发明(设计)人: | 潘玉堂;周世文 | 申请(专利权)人: | 南茂科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 徐洁晶 |
| 地址: | 中国台湾新竹县*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 芯片 封装 结构 制作方法 | ||
1.一种芯片封装结构的制作方法,其特征在于,包括:
提供第一承载器,该第一承载器包括第一表面以及图案化金属层,该图案化金属层设置于该第一表面上;
形成介电层于该第一表面上,以覆盖该图案化金属层;
将该第一承载器上的该图案化金属层及该介电层转移至第二承载器上;
设置多个芯片于该图案化金属层上,使该多个芯片电性连接该图案化金属层;
形成封装胶体于该第二承载器上,且该封装胶体覆盖该多个芯片、该图案化金属层以及该介电层;
移除该第二承载器;以及
切割该多个芯片间的该封装胶体以及该介电层,以形成多个芯片封装结构。
2.如权利要求1所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,提供该第一承载器,该第一承载器包括该第一表面以及该图案化金属层的步骤更包括:
形成金属层于该第一承载器上;以及
对该金属层进行图案化工艺,以形成该图案化金属层,该图案化金属层包括多个导电迹线。
3.如权利要求2所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,将该第一承载器上的该图案化金属层及该介电层转移至该第二承载器上时,该介电层贴附该第二承载器。
4.如权利要求3所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,更包括:
在移除该第二承载器后,形成多个开口于暴露的该介电层中,该多个开口暴露出部分的该图案化金属层;以及
填充导电材于该多个开口内,以形成多个接垫,该多个接垫分别与该多个导电迹线电性连接。
5.如权利要求4所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,更包括:
分别设置多个焊球于该多个接垫上。
6.如权利要求1所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,提供该第一承载器,该第一承载器包括该第一表面以及该图案化金属层的步骤更包括:
形成金属层于该第一承载器上;以及
对该金属层进行图案化工艺,以形成该图案化金属层,该图案化金属层包括连接层以及多个接垫,该多个接垫位于该连接层上。
7.如权利要求6所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,该介电层至少填充于该多个接垫之间。
8.如权利要求7所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,将该第一承载器上的该图案化金属层及该介电层转移至该第二承载器上时,该介电层贴附该第二承载器。
9.如权利要求8所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,更包括:
在将该第一承载器上的该图案化金属层及该介电层转移至该第二承载器上后,对该连接层进行图案化工艺,以形成多个对应该多个接垫的导电迹线,以将该多个芯片设置于该多个导电迹线上,使该多个芯片电性连接该多个导电迹线。
10.如权利要求9所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,更包括:
移除该第二承载器后,分别设置多个焊球于该多个接垫上。
11.如权利要求1所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,提供该第一承载器,该第一承载器包括该第一表面以及该图案化金属层的步骤更包括:
提供金属层,该金属层包括连接层及多个导电迹线,该多个导电迹线位于该连接层上;
将该金属层设置于该第一承载器上,使该多个导电迹线贴附该第一承载器;以及
对该金属层的该连接层进行图案化工艺,以形成多个对应该多个导电迹线的接垫,其中该图案化金属层包括该多个导电迹线及该多个接垫。
12.如权利要求11所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,该介电层至少填充于该多个导电迹线及该多个接垫之间。
13.如权利要求12所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,将该第一承载器上的该图案化金属层及该介电层转移至该第二承载器上时,该介电层贴附该第二承载器。
14.如权利要求13所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,更包括:
移除该第二承载器后,分别设置多个焊球于该多个接垫上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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