[发明专利]玻璃基板与金属基板的结合方法在审
| 申请号： | 201310336906.6 | 申请日： | 2013-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN104347438A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 张仁淙 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/603 | 分类号： | H01L21/603;H01L23/482;H01L23/498 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 玻璃 金属 结合 方法 | ||
1.一种玻璃基板与金属基板的结合方法，其包括以下步骤：
提供一玻璃基板，在所述玻璃基板的一侧镀设一层金属氧化物薄膜；
提供一金属基板，在所述金属基板的一侧放置多个金属氧化物颗粒；
将镀设有所述金属氧化物薄膜的玻璃基板放置在所述金属基板上，使所述金属氧化物薄膜与所述金属氧化物颗粒相接触；及
透过所述玻璃基板对所述金属氧化物颗粒进行激光聚焦加热，使熔化后的金属氧化物颗粒融合在所述金属氧化物薄膜和所述金属基板之间。
2.如权利要求1所述的玻璃基板与金属基板的结合方法，其特征在于：所述金属氧化物薄膜与所述金属氧化物颗粒采用相同的金属氧化物材料制成。
3.如权利要求2所述的玻璃基板与金属基板的结合方法，其特征在于：所述金属氧化物中的金属与所述金属基板使用的金属相同。
4.如权利要求2所述的玻璃基板与金属基板的结合方法，其特征在于：所述金属氧化物薄膜为三氧化二铝薄膜，所述金属氧化物颗粒为三氧化二铝颗粒，所述金属基板采用铝制成。
5.如权利要求1所述的玻璃基板与金属基板的结合方法，其特征在于：所述金属氧化物颗粒的直径大于1um且小于100um。
6.如权利要求1所述的玻璃基板与金属基板的结合方法，其特征在于：所述玻璃基板采用蓝宝石玻璃制成。
7.如权利要求1所述的玻璃基板与金属基板的结合方法，其特征在于：在对所述金属氧化物颗粒进行激光聚焦加热的过程中，同时挤压所述玻璃基板和所述金属基板。
8.如权利要求1所述的玻璃基板与金属基板的结合方法，其特征在于：在所述金属氧化物颗粒完全熔化在所述金属氧化物薄膜和所述金属基板之间后，对所述金属基板进行冷却。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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