[发明专利]OGS触摸屏的制作方法有效
申请号: | 201310336718.3 | 申请日: | 2013-08-05 |
公开(公告)号: | CN103399667B | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
发明(设计)人: | 刘芳;杨会良;易伟华 | 申请(专利权)人: | 江西沃格光电股份有限公司 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人: | 吴平 |
地址: | 338004 江西省新余*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | ogs 触摸屏 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及触摸屏技术领域,特别是涉及一种OGS触摸屏的制作方法。
背景技术
OGS(One Glass Solution,单层玻璃结构)触摸屏因具有结构简单、质量轻、厚度薄、透过性好、生产成本等优点而受到广泛的关注。
在制作电容式OGS触摸屏时,通常在大版强化玻璃上同时制备多个OGS触摸屏,然后通过切割以及磨边处理,得到单个OGS触摸屏中间产品。由于切割以及磨边处理会降低玻璃强度,因此,需要对单个OGS触摸屏中间产品的边缘进行二次强化处理。
在二次强化处理过程中,通常在单个OGS触摸屏中间产品的上下表面贴合抗酸膜,并将其浸泡于HF水溶液中一段时间。而形成于OGS触摸屏非可视区域(OGS触摸屏的边框区域)上的黑矩阵图案与OGS触摸屏外形完全是1:1的设计(黑矩阵图案的外周缘与OGS触摸屏的边缘重合),导致黑矩阵图案很容被HF腐蚀,进而导致非可视区域露光严重,同时还影响OGS触摸屏的平整度。而且即使在二次强化处理后,再对黑矩阵图案受到腐蚀的OGS触摸屏进行二次油墨印刷,也会出现色差明显,平整度达不到要求的问题,严重影响产品的良率。
发明内容
基于此,有必要提供一种具有较高良率的OGS触摸屏的制作方法。
一种OGS触摸屏的制作方法,包括如下步骤:
在玻璃基板表面形成第一黑矩阵图案,所述第一黑矩阵图案位于预设的OGS触摸屏的非可视区域上,所述第一黑矩阵图案的外周缘与所述预设的OGS触摸屏的边缘的距离为0.2~0.8mm,所述第一黑矩阵图案的内周缘与所述预设的OGS触摸屏的可视区域的外周缘相接;
在形成有第一黑矩阵图案的玻璃基板表面形成ITO导电图案层,并对表面形成有ITO导电图案层的玻璃基板依次进行切割及磨边处理,得到预设的OGS触摸屏中间产品;
对所述中间产品进行二次强化处理;
在经二次强化处理后的中间产品的所述第一黑矩阵图案的外周缘与所述预设的OGS触摸屏的边缘之间形成第二黑矩阵图案,即得到所述OGS触摸屏,其中,所述第一黑矩阵图案与所述第二黑矩阵图案的颜色相同。
在其中一个实施例中,在玻璃基板表面形成第一黑矩阵图案之前,还包括对所述玻璃基板进行清洗及质检的步骤。
在其中一个实施例中,在玻璃基板表面形成第一黑矩阵图案的过程中,包括如下步骤:在玻璃基板表面上涂布负型光阻,得到覆盖所述玻璃基板表面的负型光阻层,并对所述负型光阻层依次进行曝光处理、显影处理及固烤处理,得到所述第一黑矩阵图案;
其中,所述负型光阻的粘度为2.6~5.8cP,所述负型光阻层的厚度为0.7~2.0μm,曝光能量为150~250mJ/cm2,曝光波长为360~480nm,曝光间隙为150~200μm,曝光时间为6~8.5s。
在其中一个实施例中,在所述显影处理中,采用质量分数为0.05%的KOH溶液进行显影处理;在所述固烤处理过程中,固烤温度为250℃,固烤时间为30min。
在其中一个实施例中,在经二次强化处理后的中间产品的所述第一黑矩阵图案的外周缘与所述预设的OGS触摸屏的边缘之间形成第二黑矩阵图案的过程中,包括如下步骤:采用丝网印刷的方式将所述负型光阻印刷于所述第一黑矩阵图案的外周缘与所述预设的OGS触摸屏的边缘之间形成所述第二黑矩阵图案,其中,网版为280~400目的聚酯网,刮刀硬度为75°、角度为45°,印刷速度为1.5~2.5M/S,网矩为2.0~3.0mm。
在其中一个实施例中,所述负型光阻的颜色为黑色、蓝色、粉色或咖啡色。
在其中一个实施例中,在形成有第一黑矩阵图案的玻璃基板表面形成ITO导电图案层的过程中,包括如下步骤:采用真空磁控溅射6靶相连的溅射方法在形成有第一黑矩阵图案的玻璃基板表面形成ITO层,对所述ITO层依次进行黄光制程、显影处理、固烤处理、蚀刻处理以及光阻剥离,得到所述ITO导电图案层。
在其中一个实施例中,在所述真空磁控溅射过程中,真空腔内的温度为320℃、溅射速度为1.0~1.2m/s;
在所述黄光制程中,在所述ITO层上涂布正型光阻,得到覆盖所述ITO层的正型光阻层,所述正型光阻的粘度为3.6~5.8cP,所述正型光阻层的厚度为0.7~2.0μm;
在所述显影处理过程中,曝光能量为40~80mJ/cm2,曝光波长为360~480nm,曝光间隙为200μm,曝光时间为6~8.5s;
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