[发明专利]电缆补偿电路在审

专利信息
申请号: 201310334966.4 申请日: 2013-08-02
公开(公告)号: CN103580104A 公开(公告)日: 2014-02-12
发明(设计)人: 朴英培;张银成;尹在汉;安炳学;金镇兑;金泰星;具官本;洪根义 申请(专利权)人: 快捷韩国半导体有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00;H02M7/12
代理公司: 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 代理人: 武晨燕;张颖玲
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 电缆 补偿 电路
【说明书】:

相关申请的交叉引用

本申请要求享有2012年8月3日向美国专利商标局(The United States Patent and Trademark Office,USPTO)递交的美国专利申请No.61/679173、2012年9月4日向USPTO递交的美国专利申请No.61/696367的优先权和权益,以及2013年7月向韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2013-0079957的优先权以及权益,以上专利申请的全部内容均以参考的形式包含在本申请中。

技术领域

实施例涉及用于对电缆的电压降进行补偿的电缆补偿电路。例如,所述电缆补偿电路对连接到电源装置与电池之间的电缆中产生的电压降进行补偿。

背景技术

电缆连接在充电器的输出电容器与电池之间。当充电器的输出电流很小时,电缆中产生的电压降没有问题。然而,当输出电流很高(当负载很大时)的时候,电缆中产生的电压降增大以至于向电池提供的电压降低。

充电器的输出电压被控制在适合于电池充电的额定电压,然而因为电缆的电压降,所以提供给电池的电压小于额定电压。

背景技术部分中所公开的以上信息仅仅用于增加对本发明的背景的理解,并由此可能包括并不构成已经为该国中本领域的普通技术人员所知的现有技术的信息。

发明内容

本发明提供一种对电缆造成的电压降进行补偿的工具。

根据一示例性实施例的电缆补偿电路对连接在电源装置与负载之间的电缆的电压降进行补偿。

电缆补偿电路包括二极管,二极管的正极电压根据电源装置的输出电流的增加来增加,并且至少两个电阻器对正极电压进行分压。

另外,电缆补偿电路包括节点和二极管,在所述节点处产生一根据电源装置的输出电流的增加来减小的电压,且所述二极管连接到所述节点和电源装置的次级侧上,并且电源装置的并联稳压器的参考端连接到所述节点上。

当输出电流增加时,电缆补偿电路使得电源装置的并联稳压器的负极阻抗增加。传输到电源装置的次级侧的能量根据并联稳压器的负极阻抗的增加而增加。

根据本发明的电缆补偿电路连接到并联稳压器上以产生一与电源装置的输出电压对应的反馈电压。电缆补偿电路包括第一节点和二极管,在所述第一节点处产生一根据电源装置的输出电流而变化的电压,所述二极管连接到所述第一节点与连接到所述并联稳压器的参考端上的第二节点之间,其中,并联稳压器的负极阻抗根据第二节点的电压来控制,并且反馈电压根据并联稳压器的负极阻抗来变化。

第一节点连接到整流二极管的正极上,输出电流流向所述整流二极管的所述正极。

电缆补偿电路进一步包括第一电阻器、第二电阻器以及晶体管,所述第一电阻器连接到二极管的负极与第二节点之间,所述第二电阻器包括连接到第二节点的一端与连接到接地的另一端,所述晶体管包括连接到第二节点的控制端与连接到并联稳压器的参考端上的第一端。

电缆补偿电路可以进一步包括连接到第二节点与接地之间的第一电容器。

电缆补偿电路可以进一步包括连接到二极管的负极与接地之间的第二电容器。电缆补偿电路可以进一步包括连接到晶体管的第一端与并联稳压器的参考端之间的第三电阻器。

电缆补偿电路可以进一步包括第四电阻器和第五电阻器,所述第四电阻器连接到第二节点与晶体管的控制端之间,所述第五电阻器连接到晶体管的第一端与并联稳压器的参考端之间。

电缆补偿电路可以进一步包括第六电阻器、第七电阻器以及第八电阻器,所述第六电阻器连接到第二节点与晶体管的控制端之间,所述第七电阻器连接到第二节点与接地之间,所述第八电阻器连接到晶体管的第一端与并联稳压器的参考端之间。第七电阻器的温度变化特性可能与晶体管的温度变化特性相反。

电缆补偿电路可以进一步包括第八电阻器、第一晶体管和第九电阻器,所述第八电阻器连接到第二节点与晶体管的控制端之间,所述第一晶体管连接到第三电阻器的另一端和接地并且以二极管方式连接,所述第九电阻器连接到晶体管的第一端与并联稳压器的参考端之间。第一晶体管的正向电压根据温度改变来减小以补偿晶体管对应于温度改变的电流增加,或者第一晶体管的正向电压根据温度改变来增加以补偿晶体管对应于温度改变的电流减小。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于快捷韩国半导体有限公司,未经快捷韩国半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310334966.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top