[发明专利]太阳能电池及其制造方法在审
申请号: | 201310332756.1 | 申请日: | 2013-08-01 |
公开(公告)号: | CN103579384A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 贝恩德·比特纳尔;马克·迪特里希;马提亚·乔奇 | 申请(专利权)人: | 太阳世界创新有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠 |
地址: | 德国弗*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
1.一种太阳能电池,其包括:
具有第一区域和第二区域的衬底,其中所述第一区域包括至少第一电导率而所述第二区域包括至少第二电导率,其中所述第二电导率大于所述第一电导率;
在所述衬底的表面上的钝化物;以及
在所述衬底的所述表面上的接触结构,其中所述接触结构包括多个接触部;
其中所述多个接触部中的两个接触部被设置为在所述第一区域中彼此间隔第一距离;
其中所述多个接触部中的两个更远的接触部被设置为在所述第二区域中彼此间隔第二距离;
其中所述第二距离大于所述第一距离。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中所述衬底包括{100}晶体取向。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中所述衬底包括掺杂剖面,该掺杂剖面沿着所述衬底的所述表面变化。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池,
其中所述钝化物包括多个开口;
其中各个接触部以所述各个接触部与所述衬底的所述表面电接触这样的方式被提供在所述钝化物的各个开口中。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中所述接触部被构造为至少部分为线状和/或至少部分为点状。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中所述接触结构包括激光发射接触部。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中所述钝化物包括激光烧蚀区域,所述接触结构被设置在该区域中。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池,
其中所述衬底包括第三区域,其中所述第三区域包括至少第三电导率,所述第三电导率大于所述第二电导率;
其中两个更远的接触部被设置为在所述第三区域中,彼此间隔第三距离;以及
其中所述第三距离大于所述第二距离。
9.根据权利要求1所述的太阳能电池,
其中所述钝化物是背面钝化物,
其中所述衬底的所述表面是所述衬底的背面,
其中所述接触结构是背面接触结构,以及
其中所述接触部是背面接触部。
10.根据权利要求9所述的太阳能电池,其进一步包括:在所述衬底的正面上的发射极结构,该结构与所述衬底形成p-n结。
11.根据权利要求1所述的太阳能电池,
其中所述钝化物是正面钝化物,
其中所述衬底的所述表面是所述衬底的正面,
其中所述接触结构是正面接触结构,以及
其中所述接触部是正面接触部。
12.根据权利要求11所述的太阳能电池,其进一步包括:在所述衬底的背面上的发射极结构,该结构与所述衬底形成p-n结。
13.一种用于制造太阳能电池的方法,所述方法包括:
确定衬底的第一区域中的第一电导率;
确定所述衬底的第二区域中的第二电导率,其中所述第二电导率大于所述第一电导率;
在所述衬底的表面上形成钝化物;以及
在所述衬底的所述表面上形成接触结构,其中所述接触结构包括多个接触部,所述多个接触部被所述衬底的区域用钝化物围绕,其中所述接触部彼此之间的距离根据所述第一电导率和所述第二电导率进行限定。
14.根据权利要求13所述的方法,其中所述衬底包括{100}晶体取向。
15.根据权利要求13所述的方法,
其中多个开口被形成在所述钝化物中;以及
其中各个接触部以所述各个接触部与所述衬底的所述表面电接触这样的方式被形成在所述钝化物的各个开口中。
16.根据权利要求13所述的方法,其中所述接触部被形成为激光发射接触部。
17.根据权利要求13所述的方法,其中所述钝化物借助激光烧蚀进行构造。
18.一种用于制造太阳能电池的方法,所述方法包括:
确定衬底的第一区域中的第一电导率;
确定所述衬底的第二区域中的第二电导率,其中所述第二电导率大于所述第一电导率;
在所述衬底的背面上形成背面钝化物;以及
在所述衬底的所述背面上形成背面接触结构,其中所述背面接触结构包括多个背面接触部,所述多个背面接触部被所述衬底的区域用背面钝化物围绕,其中所述背面接触部彼此之间的距离根据所述第一电导率和所述第二电导率进行限定。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的