[发明专利]VVMOS管的制作方法及VVMOS管在审
| 申请号： | 201310331656.7 | 申请日： | 2013-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN104347412A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 崔金洪 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | vvmos 制作方法 | ||
1.一种垂直V型槽金属氧化物半导体VVMOS管的制作方法，包括在衬底的外延层上形成V型槽，且在V型槽中形成栅极氧化层和栅极的流程，其特征在于，所述在V型槽中形成栅极氧化层的流程包括：
在形成有V型槽的外延层表面生长第一栅极氧化层；
在所述第一栅极氧化层的表面进行保护层的淀积，并对所述保护层采用刻蚀工艺，去除所述V型槽底部的保护层；
在所述V型槽底部形成第二栅极氧化层；
去除剩余的保护层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述保护层的材质为氮化硅。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底为N型重掺杂衬底；所述外延层为N型轻掺杂外延层，所述外延层的晶向为100，电阻率为0.9Ω.cm，厚度为8um。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一栅极氧化层及所述第二栅极氧化层的材料都为二氧化硅；
所述第一栅极氧化层的厚度为
所述第二栅极氧化层的厚度为
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述第一栅极氧化层的表面进行保护层的淀积，包括：
在所述第一栅极氧化层的表面采用化学气相淀积方法，进行氮化硅层的淀积。
6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对所述保护层采用刻蚀工艺，去除所述V型槽底部的保护层，包括：
对所述保护层进行光刻胶掩膜曝光，采用干法刻蚀方法，去除所述V型槽底部的氮化硅层。
7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述去除剩余的保护层包括：
采用湿刻刻蚀去除剩余的氮化硅层。
8.一种垂直V型槽金属氧化物半导体VVMOS管，包括衬底、外延层、形成在V型槽中的栅氧化层和栅极，其特征在于：
形成在所述V型槽中的栅氧化层覆盖在V型槽的表面，且在所述V型槽底部形成覆盖V型尖角的三角形栅氧化层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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