[发明专利]微机电工艺监控结构和监控方法

权利要求书

1.一种微机电工艺监控结构，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的绝缘层；位于所述绝缘层上的第一层多晶硅层；位于所述第一层多晶硅层上的牺牲层；位于所述牺牲层上的固定质量块；及通过悬挂元件悬挂于所述固定质量块上的可动质量块；其中，所述固定质量块及可动质量块的数量均为多个，且一一对应；当进行监控时，一参数分析仪的一端连接所述第一层多晶硅层，另一端依次连接多个固定质量块，根据所述参数分析仪所测得的参数值，判断微机电工艺的可靠性。

2.如权利要求1所述的微机电工艺监控结构，其特征在于，进行下列监控中的任意一种或几种:

当所述参数分析仪从某个固定质量块开始均能测出电流，则判定该固定质量块对应的可动质量块的W1值的一半为牺牲层的熏蒸量；

当所述参数分析仪从某个固定质量块开始能测出电流，且比该固定质量块对应的可动质量块的W1值小的结构有的能测出电流，有的不能测出电流，则判定牺牲层上存在污染；

当所述参数分析仪从某个固定质量块开始均能测出电流，且晶圆上不同位置最先测出电流的固定质量块对应的可动质量块的W1值不同，则判定晶圆上不同位置的牺牲层的熏蒸量不均匀；

当所述参数分析仪从某个固定质量块开始均能测出电流，且晶圆上不同位置的固定质量块对应的可动质量块的W1值相同的情况下，对应的吸合电压值不同，则判定多晶硅的刻蚀量不均匀。

3.如权利要求1所述的微机电工艺监控结构，其特征在于，所述可动质量块的形状为梳齿结构。

4.如权利要求3所述的微机电工艺监控结构，其特征在于，多个可动质量块依次排列；且多个可动质量块的横条宽度W1递减，多个可动质量块的横条间距W2相同。

5.如权利要求1所述的微机电工艺监控结构，其特征在于，所述可动质量块的形状为带释放孔的平板结构。

6.如权利要求5所述的微机电工艺监控结构，其特征在于，多个可动质量块依次排列；且多个可动质量块的释放孔间距W1递减；多个可动质量块的释放孔宽度W2相同。

7.如权利要求4或6所述的微机电工艺监控结构，其特征在于，所述可动质量块与第一层多晶硅层之间的吸合电压为5V～10V。

8.一种微机电工艺监控方法，其特征在于，包括：

步骤1：提供如权利要求1-7中任意一项所述的微机电工艺监控结构；

步骤2：将参数分析仪的一端连接第一层多晶硅层，另一端连接一个固定质量块，参数分析仪输出电压，检测电流，其中，输出电压从零扫描到设定值；

步骤3：记录检测电流是否达到设定值，随后参数分析仪的另一端连接下一个固定质量块，重复执行步骤2，并记录检测电流是否达到设定值，直至最后一个固定质量块。