[发明专利]一种高纯液体多晶硅的制备方法

权利要求书

1.一种高纯液体多晶硅的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）将含硅气体通入预热器进行预热，预热温度为60-350℃；

2）将步骤1）预热后的含硅气体初步加热升温，温度小于含硅气体的分解温度，升温至400-800℃；

3）将步骤2）升温后的气体进行快速升温，升温到850-1800℃，升温速率为500-600℃/min；

4）将步骤3）快速升温后的含硅气体通入反应器内，并保持反应器上部温度为850-1800℃，保持反应器底部温度为1450-1800℃；

5）将聚集在反应器底部的液体多晶硅收集并由反应器底部排出用于下一工序的铸锭等工艺。

2.根据权利要求1所述的一种高纯液体多晶硅的制备方法，其特征在于，步骤1）预热温度为100℃-150℃。

3.根据权利要求1所述的一种高纯液体多晶硅的制备方法，其特征在于，步骤2）初步加热升温温度为450-600℃。

4.根据权利要求1所述的一种高纯液体多晶硅的制备方法，其特征在于，步骤3）快速升温温度为1420-1800℃。

5.根据权利要求1或2或3或4所述的一种高纯液体多晶硅的制备方法，其特征在于，步骤4）保持反应器上部温度为1420-1800℃，保持反应器底部温度为1500-1800℃。

6.根据权利要求1或2或3或4所述的一种高纯液体多晶硅的制备方法，其特征在于，所述含硅气体为硅烷、二氯二氢硅、四氯化硅、三氯氢硅、二氯氢硅或氢气与上述各种气体的混合气。

7.根据权利要求1或2或3或4所述的一种高纯液体多晶硅的制备方法，其特征在于，所述含硅气体的通入速率为0.01-0.4m/s。

8.根据权利要求1所述的一种高纯液体多晶硅的制备方法，其特征在于，所采用的制备装置为：包括预热器、初步加热器和反应器，预热器、初步加热器和反应器通过管路依次相连；反应器的顶部设有快速加热器，反应器的外部设有反应器加热器，底部设有产品出口，侧面设有尾气出口。

9.根据权利要求8所述的一种高纯液体多晶硅的制备方法，其特征在于，反应器底部设有液位自动控制系统。

10.根据权利要求8所述的一种高纯液体多晶硅的制备方法，其特征在于，所述初步加热器为换热器，尾气出口通过管路与初步加热器相连。