[发明专利]微机电工艺监控结构和监控方法

权利要求书

1.一种微机电工艺监控结构，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的绝缘层；位于所述绝缘层上的多个梳齿状的第一层多晶硅层；当进行监控时，一参数分析仪的一端连接所述衬底，另一端依次连接多个梳齿状的第一层多晶硅层，根据所述参数分析仪所测得的参数值，判断微机电工艺的可靠性。

2.如权利要求1所述的微机电工艺监控结构，其特征在于，进行下列监控中的任意一种或几种：

当所述参数分析仪从某个梳齿状的第一层多晶硅层开始均能测出电流，则判定该梳齿状的第一层多晶硅层的W1值的一半为绝缘层的熏蒸量；

当所述参数分析仪从某个梳齿状的第一层多晶硅层开始能测出电流，且比该梳齿状的第一层多晶硅层的W1值小的结构有的能测出电流，有的不能测出电流，则判定绝缘层上存在污染；

当所述参数分析仪从某个梳齿状的第一层多晶硅层开始均能测出电流，且晶圆上不同位置最先测出电流的梳齿状的第一层多晶硅层的W1值不同，则判定晶圆上不同位置的绝缘层的熏蒸量不均匀。

3.如权利要求1所述的微机电工艺监控结构，其特征在于，多个梳齿状的第一层多晶硅层依次排列；且多个梳齿状的第一层多晶硅层的横条宽度W1递减，多个梳齿状的第一层多晶硅层的横条间距W2相同。

4.如权利要求3所述的微机电工艺监控结构，其特征在于，每个梳齿状的第一层多晶硅层上均形成有固定质量块及通过悬挂元件悬挂于所述固定质量块上的可动质量块。

5.如权利要求3或4所述的微机电工艺监控结构，其特征在于，所述梳齿状的第一层多晶硅层与衬底之间的吸合电压为5V～10V。

6.一种微机电工艺监控方法，其特征在于，包括：

步骤1：提供如权利要求1-5中任意一项所述的微机电工艺监控结构；

步骤2：将参数分析仪的一端连接衬底，另一端连接一个梳齿状的第一层多晶硅层，参数分析仪输出电压，检测电流，其中，输出电压从零扫描到设定值；

步骤3：记录检测电流是否达到设定值，随后参数分析仪的另一端连接下一个梳齿状的第一层多晶硅层，重复执行步骤2，并记录检测电流是否达到设定值，直至最后一个梳齿状的第一层多晶硅层。