[发明专利]一种碳化硅肖特基势垒二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种碳化硅肖特基势垒二极管，包括依次层叠设置的阴极电极（1）、N+衬底（2）、N-漂移区（3）、P+层（4）和阳极电极（5），其特征在于，所述P+层（4）上设置有多个固定间距的凹槽（6），所述阳极电极（5）填充在凹槽（6）内。

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅肖特基势垒二极管，其特征在于，所述凹槽（6）的断面形状为V字型、矩形和U形中的一种。

3.根据权利要求2所述的一种碳化硅肖特基势垒二极管，其特征在于，所述凹槽（6）的深度大于P+层（4）的厚度，并延伸到N-漂移区（3）中。

4.根据权利要求3所述的一种碳化硅肖特基势垒二极管，其特征在于，所述阳极电极（5）采用的材料为钛、镍和铝中的一种或多种组合而成的合金。

5.根据权利要求4所述的一种碳化硅肖特基势垒二极管，其特征在于，所述N+衬底（2）和P+层（4）采用的材料为碳化硅、氮化镓、金刚石、石墨烯、砷化镓、硅和锗中的一种。

6.一种碳化硅肖特基势垒二极管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

a.在碳化硅N+衬底（2）上外延一定厚度的N-漂移区（3）；

b.在N-漂移区（3）上外延一定厚度的碳化硅P+层（4）；

c.刻蚀碳化硅P+层（4）至N-漂移区（3）中，形成多个有一定间距的凹槽（6），凹槽（6）的深度大于P+层（4）的厚度；

d.在碳化硅上表面和下表面淀积金属，形成阳极电极（5）和阴极电极（1）。

7.根据权利要求6所述的一种碳化硅肖特基势垒二极管的制作方法，其特征在于，所述阳极电极（5）采用的材料为钛、镍和铝中的一种或多种组合而成的合金。