[发明专利]基于游标效应的双微环谐振腔光学生化传感芯片

权利要求书

1.基于游标效应的双微环谐振腔光学生化传感芯片，包括自下而上依次层叠键合的硅基层、二氧化硅层和单晶硅层构成的SOI基体，其特征在于，所述SOI基体的单晶硅层包含输入直波导、输出直波导、第一微环谐振腔和第二微环谐振腔，其中，第一微环谐振腔包括环状波导，所述第一微环谐振腔分别与输入直波导和输出直波导耦合连接，第二微环谐振腔与第一微环谐振腔位于同一平面，并位于第一微环谐振腔的环状波导内侧，与第一微环谐振腔耦合连接，所述第一微环谐振腔与第二微环谐振腔具有不相同的自由光谱范围，二者光学耦合连接。

2.根据权利要求1所述的光学生化传感芯片，其特征在于，第一微环谐振腔的环状波导包括两段等长且平行布置的直波导和两段半径相等并开口相对的半圆形波导，四段波导在同一平面内首尾相连形成第一微环谐振腔。

3.根据权利要求2所述的光学生化传感芯片，其特征在于，输入直波导和输出直波导分别在第一微环谐振腔的两段直波导处与第一微环谐振腔耦合。

4.根据权利要求3所述的光学生化传感芯片，其特征在于，输入直波导和输出直波导与第一微环谐振腔耦合的波导耦合区内输入或输出直波导长度不超过5um。

5.根据权利要求1所述的光学生化传感芯片，其特征在于，所述第一微环谐振腔的半径为8-10um。

6.根据权利要求5所述的光学生化传感芯片，其特征在于，所述第二微环谐振腔的半径为5-6um。

7.根据权利要求1-6之任一项权利要求所述的光学生化传感芯片，其特征在于，所有波导的宽度均为300-600nm。

8.根据权利要求7所述的光学生化传感芯片，其特征在于，所有波导的厚度均为200-300nm。