[发明专利]有机电致发光器件无效
| 申请号: | 201310330403.8 | 申请日: | 2013-07-31 |
| 公开(公告)号: | CN103682114A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
| 发明(设计)人: | 米原健矢;小野富男;泽部智明;杉启司;加藤大望;榎本信太郎 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 张欣 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 电致发光 器件 | ||
1.一种有机电致发光器件,包括:
第一电极;
包括金属的第二电极;
第一有机层,被设置在所述第一电极和所述第二电极之间,所述第一有机层被配置为发光;和
第二有机层,被设置在所述第一有机层和所述第二电极之间,
所述第二有机层在厚度方向对于光的折射率低于所述第一有机层对于光的折射率。
2.如权利要求1所述的器件,其特征在于,
所述第二有机层在厚度方向对于光的折射率低于所述第二有机层在与所述厚度方向垂直的方向上对于光的折射率。
3.如权利要求1所述的器件,其特征在于,
所述第二有机层的厚度不小于1纳米且不大于200纳米。
4.如权利要求3所述的器件,其特征在于,
所述第二有机层的厚度不大于100纳米。
5.如权利要求1所述的器件,其特征在于,还包括设置在所述第二有机层和所述第二电极之间的第一功能层,所述第一功能层包括与所述第二有机层不同的材料。
6.如权利要求5所述的器件,其特征在于,
所述第一功能层包括无机材料。
7.如权利要求1所述的器件,其特征在于,还包括设置在所述第一有机层和所述第二有机层之间的第二功能层,所述第二功能层包括与所述第二有机层不同的材料。
8.如权利要求7所述的器件,其特征在于,
所述第二功能层包括无机材料。
9.如权利要求1所述的器件,其特征在于,还包括设置在所述第一电极的相对于所述第二电极的侧上的衬底,
来自所述第一有机层的穿过所述衬底的光的强度高于来自所述第一有机层的穿过所述第二电极的光的强度。
10.如权利要求9所述的器件,其特征在于,
所述第二有机层包括电子传输材料。
11.如权利要求1所述的器件,其特征在于,还包括设置在所述第一电极的相对于所述第二电极的侧上的衬底,
来自所述第一有机层的穿过所述第二电极的光的强度高于来自所述第一有机层的穿过所述衬底的光的强度。
12.如权利要求1所述的器件,其特征在于,
所述第二电极的膜厚不大于50纳米,所述第二电极包括金属。
13.如权利要求11所述的器件,其特征在于,还包括设置在所述第一有机层和所述第一电极之间的第三功能层,
所述第三功能层在厚度方向对于光的折射率低于所述第一有机层对于光的折射率。
14.如权利要求13所述的器件,其特征在于,
所述第三功能层包括无机材料。
15.如权利要求1所述的器件,其特征在于,
所述第二有机层在所述膜厚方向对于光的折射率等于所述第二有机层在与所述厚度方向垂直的方向上对于光的折射率。
16.如权利要求1所述的器件,其特征在于,
所述光具有不小于400纳米且不大于800纳米的第一波段,且
至少所述第二有机层在所述厚度方向对于所述第一波段的折射率低于所述第一有机层对于所述第一波段的折射率。
17.如权利要求1所述的器件,其特征在于,
至少所述第二有机层在所述厚度方向对于所述光的峰值波长的折射率低于所述第一有机层的所述折射率。
18.如权利要求9所述的器件,其特征在于,
所述衬底包括光路径转换单元,
所述光路径转换单元被设置在所述衬底的与所述第二电极相对的侧上以改变从所述第一有机层向所述第一电极行进的所述光的组分的方向。
19.如权利要求9所述的器件,其特征在于,
所述衬底包括光路径转换单元,
所述光路径转换单元被配置为改变从所述第一有机层向所述第一电极行进的所述光的组分的方向,
所述第一电极被设置在所述第一有机层和所述光路径转换单元之间。
20.如权利要求18所述的器件,其特征在于,还包括:
光层,被设置在所述衬底和所述第一电极之间,
所述光层与所述衬底和所述第一电极接触,且包括具有高于所述衬底的折射率的高折射率层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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