[发明专利]晶圆承载装置在审
申请号: | 201310330151.9 | 申请日: | 2013-07-31 |
公开(公告)号: | CN104347466A | 公开(公告)日: | 2015-02-11 |
发明(设计)人: | 王坚;金一诺;王晖 | 申请(专利权)人: | 盛美半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆嘉 |
地址: | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 承载 装置 | ||
技术领域
本发明涉及集成电路器件制造装置,尤其涉及一种晶圆承载装置。
背景技术
在集成电路器件制造装置中,晶圆承载装置用于保持晶圆,以便对晶圆进行工艺处理或仅供暂放晶圆。常见的晶圆承载装置包括晶圆承载台和支撑晶圆承载台的承载台支柱。以电化学抛光为例,电化学抛光腔室内设置有晶圆承载装置。进行电化学抛光工艺时,机械手将待抛光晶圆放置在晶圆承载装置的晶圆承载台上,然后,真空夹盘夹持晶圆承载台上的晶圆并将晶圆移至电化学抛光装置处以进行电化学抛光工艺。电化学抛光工艺结束后,真空夹盘将晶圆卸载在晶圆承载台上,然后机械手从晶圆承载台上取走晶圆。
这种常见的晶圆承载装置在使用过程中存在的弊端如下:
晶圆电化学抛光工艺结束后,虽然晶圆有经过高速旋转甩干,但晶圆表面仍会残留一些抛光液,如果不对这些残留的抛光液进行处理,残留的抛光液容易在晶圆从电化学抛光腔室传输至清洗腔室过程中污染机械手和机械手所在的空间。而目前的晶圆承载装置不具备处理晶圆表面残留抛光液的功能。
发明内容
本发明的目的是提供一种晶圆承载装置,该晶圆承载装置可以对晶圆进行预清洗,以去除晶圆表面残留的化学液。
为实现上述目的,本发明提出的晶圆承载装置,包括:晶圆承载台、支撑晶圆承载台的承载台支柱、设置在承载台支柱内的缓冲装置和预清洗装置。预清洗装置包括:能竖直升降的防护罩、能竖直升降的喷头及收集槽。防护罩设置在晶圆承载台的外围并环绕晶圆承载台。喷头设置在晶圆承载台的中心轴上。收集槽具有底壁及自底壁向上延伸形成的侧壁,收集槽的底壁及侧壁围成一空间以放置晶圆承载台、承载台支柱、缓冲装置、防护罩及喷头。
在一个实施例中,收集槽开设有排液口。
在一个实施例中,缓冲装置为弹簧。
综上所述,本发明晶圆承载装置通过设置预清洗装置,在晶圆卸载至晶圆承载台之前,对晶圆进行预清洗,去除晶圆表面残留的化学液,避免残留的化学液对已加工完成的晶圆产生腐蚀,及后续机械手取晶圆时,化学液污染机械手,从而提高晶圆加工质量及延长机械手的使用寿命。
附图说明
图1揭示了根据本发明一实施例的晶圆承载装置的剖面结构示意图。
图2揭示了根据本发明一实施例的晶圆承载装置的俯视图。
图3揭示了根据本发明一实施例的晶圆承载装置预清洗晶圆的剖面结构示意图。
图4揭示了根据本发明一实施例的晶圆承载装置保持晶圆的剖面结构示意图。
具体实施方式
为详细说明本发明的技术内容、构造特征、所达成目的及功效,下面将结合实施例并配合图式予以详细说明。
参阅图1和图2,揭示了根据本发明一实施例的晶圆承载装置的剖面结构示意图以及俯视图。该晶圆承载装置100包括晶圆承载台110及用于支撑晶圆承载台110的数个承载台支柱120,在本实施例中,虽然承载台支柱120的数量为3个,但承载台支柱120的数量并不仅限于3个。每个承载台支柱120内均设置有缓冲装置130,具体地,该缓冲装置130为弹簧。在支撑台支柱120内设置缓冲装置130的目的是当晶圆承载台110承受较重负载时,缓冲装置130可以起到缓冲作用,避免因负载过重导致晶圆承载台110及放置晶圆承载台110上的晶圆损坏。
晶圆承载装置100还包括预清洗装置,该预清洗装置包括收集槽140、防护罩150及喷头160。收集槽140具有底壁142及自底壁142向上延伸形成的侧壁141。晶圆承载台110、设置有缓冲装置130的支撑台支柱120、防护罩150及喷头160设置在收集槽140的底壁142及侧壁141围成的空间内。收集槽140的底壁142开设有排液口(图中未示)。防护罩150及喷头160均可竖直升降。防护罩150设置在晶圆承载台110的外围并环绕晶圆承载台110。喷头160设置在晶圆承载台110的中心轴上。
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