[发明专利]成型封装中的电容压力传感器在审

专利信息
申请号: 201310328779.5 申请日: 2013-07-31
公开(公告)号: CN103575453A 公开(公告)日: 2014-02-12
发明(设计)人: 温剑;威廉·G·麦克唐纳 申请(专利权)人: 飞思卡尔半导体公司
主分类号: G01L9/12 分类号: G01L9/12
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 刘光明;穆德骏
地址: 美国得*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 成型 封装 中的 电容 压力传感器
【权利要求书】:

1.一种半导体器件封装,包括:

压力传感器管芯,所述压力传感器管芯包括被部署在所述压力传感器管芯的第一主要表面的区域处的压力可变形隔膜;

成形帽晶圆,所述成形帽晶圆附着到所述压力传感器管芯的所述第一主要表面,其中

腔形成在所述成形帽晶圆的一部分和所述压力传感器管芯的所述第一主要表面的一部分之间,

所述压力传感器管芯的所述第一主要表面的所述一部分包括部署所述压力可变形隔膜的区域,以及

所述成形帽晶圆包括压力进气口,所述压力进气口被配置成允许所述腔外部的气体进入所述腔。

2.根据权利要求1所述的半导体器件封装,其中所述压力进气口位于与所述压力传感器管芯的所述第一主要表面的所述一部分相对的所述成形帽晶圆的区域中,该区域不是包括所述压力可变形隔膜的所述区域。

3.根据权利要求1所述的半导体器件封装,其中所述成形帽晶圆包括被成形为形成所述腔的硅晶圆。

4.根据权利要求1所述的半导体器件封装,其中所述成形帽晶圆包括有源半导体器件,所述有源半导体器件具有被配置成形成所述腔的外部形状。

5.根据权利要求1所述的半导体器件封装,进一步包括:

封装衬底;

有源半导体器件,所述有源半导体器件在所述有源半导体器件的第一主要表面处胶着地耦合到所述封装衬底,其中

所述压力传感器管芯胶着地耦合到所述有源半导体器件的第二主要表面,以及

所述有源半导体器件的所述第二主要表面与所述有源半导体器件的所述第一主要表面相对;

密封物,所述密封物在所述封装衬底上以及周围、在所述有源半导体器件上以及周围、在所述压力传感器管芯上以及周围、以及在所述成形帽晶圆周围。

6.根据权利要求5所述的半导体器件封装,进一步包括:

在所述成形帽晶圆上的密封物,其中所述密封物被形成以在所述成形帽晶圆的所述压力进气口上提供封装进气口。

7.根据权利要求5所述的半导体器件封装,其中

所述有源半导体器件包括控制管芯,

所述压力传感器管芯电耦合到所述控制管芯,以及

所述控制管芯被配置成接收和处理由所述压力传感器管芯生成的信号。

8.根据权利要求1所述的半导体器件封装,进一步包括:

封装衬底,其中

所述压力传感器管芯在与所述压力传感器管芯的所述第一主要表面相对的所述压力传感器管芯的第二主要表面处胶着地耦合到所述封装衬底;以及

密封物,所述密封物在所述封装衬底上以及周围、在所述压力传感器管芯上以及周围、以及在所述成形帽晶圆周围。

9.根据权利要求8所述的半导体器件封装,进一步包括:

有源半导体器件,所述有源半导体器件电耦合到所述压力传感器管芯,其中

所述有源半导体器件被配置成接收和处理由所述压力传感器管芯生成的信号,以及

所述有源半导体器件的至少一部分被所述密封物密封。

10.根据权利要求9所述的半导体器件封装,其中所述有源半导体器件包括所述成形帽晶圆。

11.根据权利要求10所述的半导体器件封装,进一步包括:

在所述成形帽晶圆上的密封物,其中所述密封物被形成以在所述成形帽晶圆的所述压力进气口上提供封装进气口。

12.根据权利要求1所述的半导体器件封装,进一步包括:

封装衬底,其中

所述封装衬底包括衬底压力入口,以及

所述成形帽晶圆胶着地附着到所述封装衬底,以便所述衬底压力入口和所述成形帽晶圆压力入口对齐;以及

密封物,所述密封物在所述封装衬底上以及周围、在所述成形帽晶圆上以及周围、以及在所述压力传感器管芯的至少一部分周围。

13.根据权利要求12所述的半导体器件封装,进一步包括:

有源半导体器件,所述有源半导体器件电耦合到所述压力传感器管芯,其中

所述有源半导体器件被配置成接收和处理由所述压力传感器管芯生成的信号;以及

所述有源半导体器件的至少一部分被所述密封物密封。

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