[发明专利]半导体发光器件无效
| 申请号： | 201310328701.3 | 申请日： | 2013-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN103594574A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 黄钟日;斋藤真司;桥本玲;布上真也 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 | ||
1.一种半导体发光器件，包括：
包括氮化物半导体的第一半导体层，所述第一半导体层是n型的；
包括氮化物半导体的第二半导体层，所述第二半导体层是p型的；以及
设于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的发光层，所述发光层包括：
包括氮化物半导体的第一阱层；
设于所述第一阱层与所述第二半导体层之间并且包括氮化物半导体的第二阱层；
设于所述第一阱层和所述第二阱层之间并且包括氮化物半导体的第一势垒层，所述第一势垒层的带隙能量大于所述第一阱层的带隙能量以及所述第二阱层的带隙能量；以及
在所述第一势垒层和所述第二阱层之间接触所述第二阱层并且包括含Alx1Ga1-x1N(0.1≤x1≤0.35)的层的第一含Al层。
2.根据权利要求1的器件，其中所述第一含Al层的厚度为大于等于0.5nm且小于等于2.5nm。
3.根据权利要求1的器件，其中，所述第二阱层WL1包括包含Inp21Ga1-p21N(0.1<p21≤0.4)的第一部分。
4.根据权利要求3的器件，其中所述第二阱层还包括设于所述第一部分与第二半导体层20之间并且包含Inp22Ga1-p22N(0<p22<p21)的第二部分。
5.根据权利要求4的器件，其中所述第二阱层还包括设于所述第一部分与所述第一含Al层之间并且包含Inp23Ga1-p23N(0<p23<p21)的第三部分。
6.根据权利要求3的器件，其中所述第一部分的厚度为大于等于0.5nm且小于等于2nm。
7.根据权利要求3的器件，其中所述第一势垒层包括：
接触所述第一阱层并且包含Alq11Inr11Ga1-q11-r11N(0≤q11<1、0≤r11<1、0≤q11+r11≤1且r11<p21)的第一n侧层，所述第一n侧层的带隙能量大于所述第一部分的带隙能量；以及
设于所述第一n侧层与所述第二半导体层之间并且包含Alq12Inr12Ga1-q12-r12N(0≤q12<1、0≤r12<1、0≤q12+r12≤1、q12<q11且r12<p21)的第一p侧层，所述第一p侧层的带隙能量大于所述第一部分的带隙能量。
8.根据权利要求7的器件，其中
所述第一n侧层的厚度为大于等于0.5nm且小于等于5nm，以及
所述第一p侧层的厚度为大于等于0.5nm且小于等于30nm。
9.根据权利要求3的器件，其中
所述发光层还包括设于所述第二阱层与所述第二半导体层之间的第二势垒层。
其中所述第二势垒层包括：
接触所述第二阱层并且包含Alq21Inr21Ga1-q21-r21N(0≤q21<1、0≤r21<1、0≤q21+r21≤1且r21<p21)的第二n侧层，所述第二n侧层的带隙能量大于所述第一部分的带隙能量；以及
设于所述第二n侧层与所述第二半导体层之间并且包含Alq22Inr22Ga1-q22-r22N(0≤q22<1、0≤r22<1、0≤q22+r22≤1、q22<q21且r22<p21)的第二p侧层，所述第二p侧层的带隙能量大于所述第一部分的带隙能量。
10.根据权利要求9的器件，其中
所述第二n侧层的厚度为大于等于0.5nm且小于等于5nm，以及
所述第二p侧层的厚度为大于等于0.5nm且小于等于30nm。
11.根据权利要求1的器件，其中所述第二半导体层置于所述第一半导体层的[0001]方向侧上。
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