[发明专利]半导体单元无效
| 申请号： | 201310328644.9 | 申请日： | 2013-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN103579138A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 西槙介;森昌吾;音部优里;加藤直毅 | 申请（专利权）人： | 株式会社丰田自动织机 |
| 主分类号： | H01L23/34 | 分类号： | H01L23/34;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 朱胜;穆云丽 |
| 地址： | 日本爱知*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 单元 | ||
1.一种半导体单元，包括：
绝缘层；
传导层，接合至所述绝缘层的一侧；
半导体装置，安装在所述传导层上；
冷却器，热耦合至所述绝缘层的另一侧；
第一汇流排，具有接合至所述半导体装置或所述传导层的接合表面以及作为所述第一汇流排的除了接合表面外的部分的非接合表面；以及
第二汇流排，具有接合至所述半导体装置或所述传导层的接合表面以及作为所述第二汇流排的除了接合表面外的部分的非接合表面，所述第二汇流排的接合表面的面积与非接合表面的面积之比大于所述第一汇流排的接合表面的面积与非接合表面的面积之比，
其特征在于，所述第二汇流排的电阻低于所述第一汇流排的电阻。
2.根据权利要求1所述的半导体单元，其中，所述第二汇流排的电流路径的横截面面积大于所述第一汇流排的电流路径的横截面面积。
3.根据权利要求1所述的半导体单元，其中，所述第二汇流排由电导率大于所述第一汇流排的电导率的材料制成。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体单元，其中，所述绝缘层、所述传导层、所述半导体装置、所述第一汇流排、所述第二汇流排和所述冷却器是利用模制树脂来模制的。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体单元，其中，所述第二汇流排具有散热片。
6.一种半导体单元，包括：
绝缘层；
传导层，接合至所述绝缘层的一侧；
半导体装置，安装在所述传导层上；
冷却器，热耦合至所述绝缘层的另一侧；
第一汇流排，具有接合至所述半导体装置或所述传导层的接合表面以及作为所述第一汇流排的除了接合表面外的部分的非接合表面；以及
第二汇流排，具有接合至所述半导体装置或所述传导层的接合表面以及作为所述第二汇流排的除了接合表面外的部分的非接合表面，所述第二汇流排的非接合表面的面积大于所述第一汇流排的非接合表面的面积，
其特征在于，所述第二汇流排的电阻低于所述第一汇流排的电阻。
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