[发明专利]一种半导体钼材电镀钌方法在审
| 申请号： | 201310328500.3 | 申请日： | 2013-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN104342731A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 李兴文 | 申请（专利权）人： | 深圳中宇昭日科技有限公司 |
| 主分类号： | C25D5/14 | 分类号： | C25D5/14;C25D7/12;C25D3/52 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518103 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 电镀 方法 | ||
【权利要求书】：
1.本发明涉及一种钼材电镀钌层工艺包括将钼基体表面进行脱脂除油、阴极微蚀处理、酸活化前处理，再将经处理的钼基体进行预镀镍处理，电镀镍、最后在钌溶液中电镀钌。钌镀层，结合力良好，镀层光亮致密，镀层厚度可达2-3um。
本工艺成熟，质量稳定，并已形成批量生产能力。
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