[发明专利]一种自适应雪崩三极管脉冲产生器有效

专利信息
申请号: 201310328083.2 申请日: 2013-07-31
公开(公告)号: CN103368530A 公开(公告)日: 2013-10-23
发明(设计)人: 覃远年;陈宏滨;宁应堂;陈皓;崔更申;首照宇;韦荔蒲;赵龙阳;张彤;王吉平;周海燕;田克纯 申请(专利权)人: 桂林电子科技大学
主分类号: H03K3/02 分类号: H03K3/02
代理公司: 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司 45112 代理人: 刘梅芳
地址: 541004 广西*** 国省代码: 广西;45
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摘要:
搜索关键词: 一种 自适应 雪崩 三极管 脉冲 产生器
【权利要求书】:

1.一种自适应雪崩三极管脉冲产生器,包括雪崩三极管脉冲产生电路,用以产生极窄脉冲信号,其特征在于:还包括

漏电流取样电路,用于对雪崩三极管脉冲产生电路的电流的取样;

比较电路,具有比较器U1和基准电压Vref,用于比较漏电流取样电路的电压与基准电压Vref值的大小并形成输出信号;

可调电源电路,用于向所述雪崩三极管脉冲产生电路施加电压,其具有接收所述比较电路的输出信号的控制端,实现对可调电源电路的电压控制;

漏电流取样电路串行接入雪崩三极管脉冲产生电路三极管的集电极回路中,进行三极管漏电流的取样,比较电路的输入端与漏电流取样电路电连接,比较电路的输出端与可调电源电路的控制端连接,可调电源电路与雪崩三极管脉冲产生电路连接。

2.根据权利要求1所述的自适应雪崩三极管脉冲产生器,其特征在于:所述漏电流取样电路包括并联的第三电阻R3和第三电容C3。

3.根据权利要求1所述的自适应雪崩三极管脉冲产生器,其特征在于:所述比较电路包括比较器U1和基准电压Vref,比较器U1的负极与基准电压Vref的负极连接。

4.根据权利要求1所述的自适应雪崩三极管脉冲产生器,其特征在于:所述可调电源电路包括第四电阻R4、NMOS场效应管Q2和电源V4,场效应管Q2的漏极接电源V4的正极,第四电阻R4的一端与场效应管Q2的源极连接。

5.根据权利要求1所述的自适应雪崩三极管脉冲产生器,其特征在于:

所述的雪崩三极管脉冲产生电路包括雪崩三极管Q1、第二电容C2、第二电阻R2、负载电阻RL、第一电容C1、第一电阻R1和激励源V2,所述雪崩三极管Q1的发射极接地、基极分别连接第一电容C1的一端和第一电阻R1的一端、集电极分别连接第二电容C2的一端和第二电阻R2的一端,第二电容C2的另一端与负载电阻RL的一端连接,负载电阻RL的另一端接地,第一电容C1的另一端连接于激励源V2的一端,激励源V2的另一端接地,第一电阻R1的另一端接地;

所述的漏电流取样电路包括并联的第三电阻R3和第三电容C3,第三电阻R3一端与所述第二电阻R2的另一端连接;

所述的比较电路包括比较器U1和基准电压Vref,比较器U1的负极与基准电压Vref的负极连接,比较器U1的正极与第二电阻R2的另一端连接,基准电压Vref的正极与所述第三电阻R3的另一端连接;

所述的可调电源电路为一具有控制端的可调电源V3,可调电源V3的控制端与比较器U1的输出端连接,可调电源V3的正极与第三电阻R3的另一端连接,负极接地。

6.根据权利要求5所述的自适应雪崩三极管脉冲产生器,其特征在于:所述的可调电源电路包括第四电阻R4、NMOS场效应管Q2和电源V4,场效应管Q2的漏极接电源V4的正极,源极接第四电阻R4的一端,第四电阻R4的另一端接地,电源V4的负极接地,场效应管Q2的源极连接第三电阻R3的另一端,栅极接所述比较器U1的输出端。

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