[发明专利]一种用于MOCVD反应器的晶片载盘及MOCVD反应器

权利要求书

1. 一种用于MOCVD反应器的晶片载盘，包括晶片载盘本体，其特征在于，所述晶片载盘本体的上表面开有用于放置晶片（105）的凹槽，该晶片载盘本体的下表面周缘向下延伸形成环形凸起（116），使整个晶片载盘（113）呈倒桶状。

2. 根据权利要求1所述的用于MOCVD反应器的晶片载盘，其特征在于，所述环形凸起（116）的纵截面形状为矩形或梯形。

3. 根据权利要求1所述的用于MOCVD反应器的晶片载盘，其特征在于，所述晶片载盘（113）由石墨压制烧结而成，该晶片载盘（113）的表面设有保护薄膜。

4. 根据权利要求3所述的用于MOCVD反应器的晶片载盘，其特征在于，所述保护薄膜为SiC薄膜或TiC薄膜。

5. 一种MOCVD反应器，包括装在旋转轴（110）上的晶片载盘（113），位于晶片载盘（113）上方的气体分布装置（102），位于晶片载盘（113）下方的加热装置；其特征在于，所述晶片载盘（113）为权利要求1~3之一所述的用于MOCVD反应器的晶片载盘。

6. 根据权利要求5所述的MOCVD反应器，其特征在于，所述加热装置为设置在旋转轴（110）与晶片载盘（113）的环形凸起（116）之间的呈筒状竖向布置的内圈加热体（103）、呈Ω形水平布置的中圈加热体（104）和呈筒状竖向布置的外圈加热体（107）。

7. 根据权利要求6所述的MOCVD反应器，其特征在于，所述内圈加热体（103）和外圈加热体（107）均由铼制成，中圈加热体（104）由钼或钨制成。

8. 根据权利要求6或7所述的MOCVD反应器，其特征在于，所述外圈加热体（107）下边缘的水平高度高于所述晶片载盘（113）的环形凸起（116）下边缘的水平高度。

9. 根据权利要求5或6或7所述的MOCVD反应器，其特征在于，所述晶片载盘（113）外侧设有呈筒状竖向布置的第一组隔热屏（106），所述加热装置下侧设有多层水平布置的第二组隔热屏蔽层（101），相邻两个隔热屏蔽层（101）之间通过环形圆柱隔开；所述第二组隔热屏蔽层（101）与第一组隔热屏（106）之间设有呈筒状竖向布置的第三组隔热屏蔽层（108），所述第三组隔热屏蔽层（108）的外径小于所述晶片载盘（113）的环形凸起（116）的内径；所述第一组隔热屏（106）的外径大于所述晶片载盘（113）的外径。

10. 根据权利要求5或6或7所述的MOCVD反应器，其特征在于，所述加热装置通过电极（111）与电源电连接，每根电极（111）带有冷却系统。