[发明专利]阴极、OLED器件及其制作方法、OLED显示装置在审

专利信息
申请号: 201310326965.5 申请日: 2013-07-30
公开(公告)号: CN103400940A 公开(公告)日: 2013-11-20
发明(设计)人: 何剑;苏君海;柯贤军;林宏信;罗武峰;李建华 申请(专利权)人: 信利半导体有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/50;H01L51/56;H01L27/32
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王宝筠
地址: 516600 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 阴极 oled 器件 及其 制作方法 显示装置
【权利要求书】:

1.一种阴极,设置于有机发光二极管显示器件中有机功能层的表面,其特征在于,该阴极包括:

半透明复合阴极层和增透层,所述增透层位于所述半透明复合阴极层背向所述有机功能层的一侧,所述半透明复合阴极层包括至少一层半透明阴极层和至少一层透明导电层,且所述半透明阴极层和所述透明导电层交替叠加。

2.根据权利要求1所述的阴极,其特征在于,所述半透明阴极层的层数范围为2-20层,包括端点值。

3.根据权利要求1所述的阴极,其特征在于,所述透明导电层的折射率范围为1.5-15,包括端点值,所述透明导电层的光线透过率范围为75%-95%,包括端点值。

4.根据权利要求3所述的阴极,其特征在于,所述透明导电层为六硼化镧层或氧化锌锡层。

5.根据权利要求1所述的阴极,其特征在于,所述增透层的材料为LaB6、ZTO、Al2O3、MgO、TiO2、MgF2、12CaO·7Al2O3、SiO2、SiNx、SnO2、ZnO、ZrO2、WO3、MoO3、NPB、TPD或Alq3

6.一种有机发光二极管器件,其特征在于,包括:

相对设置的阳极和阴极,所述阴极为权利要求1-5任意一项所述的阴极;

位于所述阳极和所述阴极之间的有机功能层,所述有机功能层包括沿所述阳极指向所述阴极方向依次设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。

7.根据权利要求6所述的有机发光二极管器件,其特征在于,所述电子注入层为六硼化镧层。

8.根据权利要求6所述的有机发光二极管器件,其特征在于,所述电子注入层为六硼化镧层与氟化锂层形成的叠层,所述氟化锂层位于所述电子传输层与所述六硼化镧层之间。

9.一种有机发光二极管显示装置,其特征在于,包括:

相对设置的基板和封装后盖,所述封装后盖朝向所述基板的一侧设置有凹槽;

设置在所述基板朝向所述封装后盖一侧的有机发光二极管器件,所述有机发光二极管器件为权利要求6-8任意一项所述的有机发光二极管器件,且所述有机发光二极管器件位于所述凹槽内。

10.一种有机发光二极管器件的制作方法,其特征在于,包括:

在基板上形成阳极;

在所述阳极上依次形成空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层;

在所述电子传输层表面形成电子注入层;

在所述电子注入层表面形成阴极,所述阴极为权利要求1-5任一项所述的阴极。

11.根据权利要求10所述的制作方法,其特征在于,所述在所述电子注入层表面形成阴极包括:

在所述电子注入层表面蒸镀形成第一半透明阴极层;

在所述第一半透明阴极层表面形成透明导电层;

在所述透明导电层表面蒸镀形成第二半透明阴极层;

在所述第二半透明阴极层表面形成增透层。

12.根据权利要求10所述的制作方法,其特征在于,所述在所述电子注入层表面形成阴极包括:

在所述电子注入层表面蒸镀形成第一半透明阴极层;

在所述第一半透明阴极层表面形成第一透明导电层;

在所述第一透明导电层表面蒸镀形成第二半透明阴极层;

在所述第二半透明阴极层表面形成第二透明导电层;

在所述第二透明导电层表面形成增透层。

13.根据权利要求10所述的制作方法,其特征在于,所述形成电子注入层的过程为:在所述电子传输层表面蒸镀六硼化镧源形成六硼化镧层。

14.根据权利要求10所述的制作方法,其特征在于,所述形成电子注入层的过程包括:

利用热丝蒸镀或电子束蒸镀技术,在所述电子传输层表面蒸镀氟化锂源形成氟化锂层;

采用电子束蒸镀技术,在所述氟化锂层表面蒸镀六硼化镧源形成六硼化镧层。

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