[发明专利]低噪声放大器和芯片

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路技术，尤其涉及一种低噪声放大器和芯片。

背景技术

随着电子设备的广泛使用，行业内对电子设备（尤其是手持设备）的功耗要求越来越高，这是由于功耗越大意味着电子设备的使用时间越短，所以，电子设备对低功耗的要求也变得越来越迫切。

低噪声放大器是电子设备中的重要器件，通常低噪声放大器的电流利用率较低，为了获得更大的增益以及更大的信噪比，需要消耗更多的电流，导致低噪声放大器的功耗较高，进而导致包含低噪声放大器的电子设备的功耗也较高。

发明内容

本发明提供一种低噪声放大器和芯片，以解决现有技术低噪声放大器功耗高的问题。

第一方面，本发明提供一种低噪声放大器，包括：偏置电路单元、第一放大电路单元、第一调整单元、第一信号输入端、第二信号输入端和第一信号输出端，其中，

所述偏置电路单元用于为所述第一放大电路单元提供偏置电压，所述偏置电路单元包括第一电压输出端和第二电压输出端；

所述第一放大电路单元包括：第一N型晶体管和第一P型晶体管、第一输出电容、第二输出电容、第一阻抗和第二阻抗；

所述第一N型晶体管的栅极通过调整单元与所述偏置电路单元的第一电压输出端连接，并通过所述第一调整单元与所述第一信号输入端连接，所述第一P型晶体管的栅极通过所述第一调整单元与所述偏置电路单元的第二电压输出端连接，并通过所述第一调整单元与所述第一信号输入端连接；所述第一N型晶体管的源极与所述第一P型晶体管的源极连接，并且均与所述第二信号输入端连接；所述第一N型晶体管的漏极与所述第一阻抗连接，并通过所述第一输出电容连接至所述第一信号输出端，所述第一P型晶体管的漏极与所述第二阻抗连接，并通过所述第二输出电容连接至所述第一信号输出端；

所述偏置电路单元连接在工作电压的高压端与低压端之间，所述第一放大电路单元中的第一阻抗与所述工作电压的高压端连接，所述第一放大电路单元中的第二阻抗与所述工作电压的低压端连接。

第二方面，本发明提供一种芯片，包括：本发明任一实施例所述的低噪声放大器，所述低噪声放大器中的第一信号输入端和第二信号输入端设置在芯片外侧。

本发明提供的低噪声放大器和芯片，采用电流复用技术，使得放大电路单元中的N型晶体管和P型晶体管可以共用电流，当本发明的低噪声放大器采用差分结构时，利用同样的电流，相比于现有技术的低噪声放大器能够获得2倍的电压增益，即：消耗同样的功耗能够获得更大的增益以及更大的动态范围，相应地，在同样的增益要求和动态范围的要求下，本发明提供的低噪声放大器的功耗较低。

附图说明

图1为本发明低噪声放大器实施例一的结构示意图；

图2为本发明低噪声放大器实施例二的结构示意图；

图3为本发明偏置电路单元实施例的结构示意图；

图4为本发明芯片实施例的结构示意图。

具体实施方式

图1为本发明低噪声放大器实施例一的结构示意图，如图1所示，本实施例的低噪声放大器可以包括：偏置电路单元1、第一放大电路单元2a、第一调整单元3a、第一信号输入端4、第二信号输入端5和第一信号输出端6，其中，

所述偏置电路单元1用于为所述第一放大电路单元2a提供偏置电压，所述偏置电路单元1包括第一电压输出端11和第二电压输出端12；

所述第一放大电路单元2a包括：第一N型晶体管21和第一P型晶体管22、第一输出电容23、第二输出电容24、第一阻抗25和第二阻抗26；

所述第一N型晶体管21的栅极通过第一调整单元3a与所述偏置电路单元1的第一电压输出端11连接，并通过所述第一调整单元3a与所述第一信号输入端4连接，所述第一P型晶体管22的栅极通过所述第一调整单元3a与所述偏置电路单元1的第二电压输出端12连接，并通过所述第一调整单元3a与所述第一信号输入端4连接；所述第一N型晶体管21的源极与所述第一P型晶体管22的源极连接，并且均与所述第二信号输入端5连接；所述第一N型晶体管21的漏极与所述第一阻抗25连接，并通过所述第一输出电容23连接至所述第一信号输出端6，所述第一P型晶体管22的漏极与所述第二阻抗26连接，并通过所述第二输出电容24连接至所述第一信号输出端6；

所述偏置电路单元1连接在工作电压的高压端与低压端之间，所述第一放大电路单元2a中的第一阻抗25与所述工作电压的高压端连接，所述第一放大电路单元2a中的第二阻抗26与所述工作电压的低压端连接。