[发明专利]一种通过调节孔隙率制备二氧化硅宽带增透膜的方法

权利要求书

1.一种通过调节孔隙率制备二氧化硅宽带增透膜的方法，其特征在于具体步骤如下：

(1)采用下述方法制备高孔隙率/低折射率薄膜对应的溶胶

将正硅酸乙酯、无水乙醇、氨水和去离子水按体积比1：10：（0.15-0.4）：（0-0.15）在常温下混合搅拌1小时以上，之后将溶液密封常温下老化3-8天，最后78℃回流2-6小时得到稳定的溶胶；

 (2)采用下述任一种方法制备低孔隙率/高折射率薄膜对应的溶胶

将正硅酸乙酯、无水乙醇、催化剂、去离子水按体积比1：10：（0.05-0.5）：（0.05-0.3）在常温下混合搅拌50-70分钟，然后静置3-10小时得到稳定的溶胶；所述催化剂为浓度为36%-38%的盐酸或醋酸；或者：

将无水乙醇、氨水、去离子水和聚乙二醇在常温下混合搅拌10分钟以上，快速加入正硅酸乙酯继续搅拌1小时，之后将溶液密封常温下老化2-4天，最后78℃回流2-6小时得到稳定的溶胶；正硅酸乙酯、无水乙醇、氨水、去离子水和聚乙二醇的体积比为1：10：（0.15-0.4）：（0-0.15）：（0.1-0.3），聚乙二醇的分子量为400或600；

(3) 双层膜的制备

将洁净的玻璃基底竖直浸入到步骤(2)所得的溶胶中，以0.5-5mm/s的速度匀速提拉，提拉结束后在空气中自然干燥2分钟，然后浸入到步骤(1)所得的溶胶中，以0.5-3mm/s的速度匀速提拉，最后对制得的双层膜样品进行热处理。

2.根据权利要求1所述的通过调节孔隙率制备二氧化硅宽带增透膜的方法，其特征在于步骤(3)所述热处理采用下述任一种方法：

直接对样品进行400-600℃热处理，处理时间为2小时；

或者：

将样品置于氨气氛中进行150℃-300℃热处理，处理时间为3-5小时。

3.根据权利要求1所述的通过调节孔隙率制备二氧化硅宽带增透膜的方法，其特征在于所述氨水浓度为25%-28%。

4.根据权利要求1所述的通过调节孔隙率制备二氧化硅宽带增透膜的方法，其特征在于所得到的产品，其低孔隙率薄膜孔隙率为5%-12%，折射率为1.40-1.44；高孔隙率薄膜孔隙率为50%-60%，折射率为1.18-1.23。