[发明专利]基板处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及基板处理装置。

背景技术

通常，每一张晶圆能够形成几十个或者几百个芯片，但芯片自身不仅无法接受来自外部的供电而发送电信号，而且由于内置有微细的电路而易于因外部的冲击而受损伤。因此，将芯片电连结而且保护芯片免受外部冲击的封装技术逐渐得到了发展。

近年来，半导体装置的高度集成化、存储器容量的增加、多功能化以及高密度安装的要求等正在加速化，为了满足这些要求，从引线接合（Wire Bonding）构造扩大为利用倒装芯片隆起焊盘（Flip Chip Bump）的接合构造，其中，进行高端（High End）级功能的构造为了提高组装成品率而以基板的状态形成焊盘（bump）。

另一方面，半导体封装越发轻薄短小化时，由于构成基板的层之间的热膨胀系数之差，在对基板施加热时产生翘曲（Warpage）等变形。当产生这样的基板的翘曲现象时存在如下问题：安装于基板的半导体芯片浮动而焊盘的大小无法均匀地形成，半导体芯片与基板之间的电连结产生错误。

为了解决这样的问题，如美国公开专利第20070181644号那样开发了对变形后的基板进行校正等各种方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种能够对基板的翘曲进行校正的基板处理装置。

采用本发明的实施例，提供一种基板处理装置，其包括：处理室，在其内部形成有腔室；主体，其位于所述腔室中，用于安装基板，所述主体的上表面与所述基板相对的形态形成；真空部，其形成于所述主体的内部，用于使所述基板吸附于所述主体的上表面；加热部，其形成于所述主体的内部，用于对所述基板进行加热。

所述主体的上表面能够形成为凹状。

所述主体的上表面能够形成为凸状。

所述真空部能够包括：真空产生部，其用于使产生真空；真空管线，其以贯穿所述主体的上表面的方式形成并与所述真空产生部连结，用于使所述基板吸附于所述主体的上部。

所述加热部能够绝将所述基板加热缘材料或者阻焊剂的玻璃转化温度（Glass Transition Temperature；Tg）以上。

该基板处理装置还能够包括冷却部，该冷却部位于所述腔室内，用于使加热后的所述基板冷却。

所述冷却部能够与所述主体分离并形成在所述主体的周围。

所述冷却部能够使用冷却气体来冷却所述基板。

所述冷却气体能够包括氮或者氩。

所述冷却部能够将加热后的所述基板冷却至室温。

本发明的实施例的基板处理装置能够利用以与基板的翘曲方向相对的形态形成的主体来高效地对基板的翘曲进行校正。

附图说明

图1是本发明的实施例的基板处理装置的图。

图2是用于表示在本发明的实施例的基板处理装置中对基板的翘曲进行校正的顺序的例示图。

图3是用于表示在本发明的实施例的基板处理装置中对基板的翘曲进行校正的顺序的例示图。

图4是用于表示在本发明的实施例的基板处理装置中对基板的翘曲进行校正的顺序的例示图。

图5是用于表示在本发明的实施例的基板处理装置中对基板的翘曲进行校正的顺序的例示图。

附图标记说明

100  基板处理装置              110  处理室

111  腔室                      120  主体

130  真空部                    131  真空产生部

132  真空管线                  140  加热部

150  冷却部                    200  基板

具体实施方式

本发明的目的、特定的优点以及新颖的特征通过与附图有关的以下的详细说明和优选的实施例进一步明确。在本说明书中，必须留意如下内容：在对各图的构成要素标注参照附图标记时，只要是同一构成要素，即使是在不同的附图中表示、也尽可能地标注同一附图标记。另外，“一面”、“另一面”、“第1”、“第2”等用语是为了使一个构成要素区别于其他构成要素而使用的，构成要素不被所述用语限定。以下，在说明本发明时，省略了对于有可能使本发明的主旨不清楚的公知技术的详细说明。

以下，参照附图对本发明的优选实施例进行详细地说明。

图1与本发明的实施例的基板处理装置有关。