[发明专利]横向双扩散金属氧化物半导体晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 201310325638.8 | 申请日： | 2013-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN104347373B | 公开（公告）日： | 2018-03-13 |
| 发明（设计）人： | 闻正锋;马万里;赵文魁 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人： | 许静,黄灿 |
| 地址： | 100871 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 晶体管 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种横向双扩散金属氧化物半导体晶体管的制造方法，包括在衬底上形成绝缘层的步骤，其特征在于，还包括以下步骤：
在所述绝缘层上形成栅极；
在栅极上形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述栅极；
研磨所述阻挡层至露出栅极，所述阻挡层的顶面与所述栅极的顶面齐平；
在栅极上形成电阻区，所述电阻区位于栅极所在区域的上方，且所述电阻区的阻值小于栅极的阻值；
去除所述阻挡层；
所述栅极由多晶硅层制成；
所述在栅极上形成电阻区的步骤包括：
在栅极上形成金属层；
通过第一快速热退火工艺使金属与多晶硅反应生成金属硅化物，形成低电阻区；
去除剩余的金属；
所述第一快速热退火工艺的温度为650～750度，时间为20～40秒。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，通过湿法清洗工艺去除剩余的金属。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，湿法清洗的药液包括硫酸和双氧水的混合液或氨水和双氧水的混合液。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，还包括：
通过第二快速热退火工艺使金属硅化物转相。
5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述第二快速热退火工艺的温度为800-900度，时间为20～40秒。
6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述金属层的厚度为
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
