[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一金属焊盘和第二金属焊盘，所述第一金属焊盘和所述第二金属焊盘相互分隔开，并且设置在半导体衬底的层间绝缘膜之上；

沟槽，所述沟槽设置在所述第一金属焊盘与所述第二金属焊盘之间，并且设置在所述层间绝缘膜中；以及

金属线，所述金属线形成在所述沟槽中。

2.如权利要求1所述的半导体器件，所述器件还包括：

隔离层，所述隔离层形成所述金属线之上，并且设置在所述第一金属焊盘与所述第二金属焊盘之间。

3.如权利要求1所述的半导体器件，所述器件还包括：

第一金属接触，所述第一金属接触形成为穿过所述层间绝缘膜，并且与所述第一金属焊盘耦接。

4.如权利要求1所述的半导体器件，所述器件还包括：

第二金属接触，所述第二金属接触形成为穿过所述层间绝缘膜，并且与所述第二金属焊盘耦接。

5.如权利要求2所述的半导体器件，所述器件还包括：

第一下部线，所述第一下部线与所述第一金属接触的下部连接。

6.如权利要求1所述的半导体器件，所述器件还包括：

第二下部线，所述第二下部线与所述第二金属接触的下部耦接。

7.如权利要求1所述的半导体器件，所述器件还包括：

第三金属接触，所述第三金属接触形成在所述金属线与所述沟槽的表面之间。

8.如权利要求2所述的半导体器件，其中，所述隔离层包括利用高密度等离子体工艺形成的绝缘膜。

9.如权利要求2所述的半导体器件，所述器件还包括：

钝化层，所述钝化层形成在所述隔离层之上。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其中，所述钝化层包括聚酰亚胺异吲哚喹唑啉二酮PIQ层。

11.如权利要求2所述的半导体器件，所述器件还包括：

接合区，所述接合区形成为暴露出所述第一金属焊盘的端部和所述第二金属焊盘的端部，并且设置在所述隔离层的两侧。

12.如权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一金属焊盘和所述第二金属焊盘中的每个设置在与金属线不同的层级，

其中，所述第一金属焊盘和所述第二金属焊盘中的每个不与所述金属线耦接，以及

其中，所述第一金属焊盘和所述第二金属焊盘中的任何一个都与封装球耦接。

13.一种形成半导体器件的方法，包括以下步骤：

在半导体衬底之上形成层间绝缘膜；

通过刻蚀所述层间绝缘膜而形成沟槽；

在所述沟槽中形成金属线；以及

以所述第一金属焊盘和所述第二金属焊盘与所述金属线分隔开的方式在所述层间绝缘膜之上形成第一金属焊盘和第二金属焊盘。

14.如权利要求13所述的方法，其中，形成所述金属线、所述第一金属焊盘和所述第二金属焊盘包括以下步骤：

在所述层间绝缘膜之上和所述沟槽中形成金属层；

在所述金属层之上形成掩模图案；以及

利用所述掩模图案作为刻蚀掩模来刻蚀所述金属层。

15.如权利要求14所述的方法，所述方法还包括以下步骤：

在形成所述层间绝缘膜之前，在所述半导体衬底之上形成相互分隔开的第一下部线和第二下部线。

16.如权利要求15所述的方法，所述方法还包括以下步骤：

在形成所述沟槽的同时，通过刻蚀所述层间绝缘膜以分别暴露所述第一下部线和所述第二下部线而形成接触孔。

17.如权利要求16所述的方法，所述方法还包括以下步骤：

在形成所述金属层之前，

在包括所述沟槽和所述接触孔的所述层间绝缘膜之上形成导电层；以及

将所述导电层平坦化以暴露出所述层间绝缘膜，以在所述接触孔中形成第一金属接触和第二金属接触；以及

在所述沟槽中形成第三金属接触。

18.如权利要求17所述的方法，其中，所述掩模图案形成为暴露出填充在所述沟槽中的所述金属层，以及覆盖所述第一金属焊盘和所述第二金属焊盘。