[发明专利]与输出电容直接并联的MOSFET同步整流电路及同步整流方法

权利要求书

1.与输出电容直接并联的MOSFET同步整流电路，包括MOSFET构成的整流电路；其特征是：所述MOSFET构成的整流电路中包括两个用于电流流动的单向开关阀和两个双向开关阀。

2.根据权利要求1所述的与输出电容直接并联的MOSFET同步整流电路，其特征是：所述单向开关阀通过MOSFET和驱动电路A构成；

所述驱动电路A包括依次信号连接的MOSFET检测网络（100）、电平比较器（200）和驱动器（300）；

所述MOSFET检测网络（100）内包括有电流源、电阻和稳压管；

MOSFET检测网络（100）的输入端与MOSFET构成的整流电路的电压输入端相连接，所述电阻的一端与MOSFET检测网络（100）的输入端相连接，所述电阻的另外一端与MOSFET检测网络（100）的输出端相连接，所述电流源和稳压管分别在MOSFET检测网络（100）的输出端与电阻相连接；

所述电压比较器（200）包括参考电压和比较器；所述参考电压与比较器的正极输入端相连接；所述MOSFET检测网络（100）的输出端与比较器的负极输入端相连接；

所述比较器的输出端与驱动器（300）的输入端相连接；所述驱动器（300）的输出端与MOSFET的栅极相连接；

所述的电流源通过在参考电压上外接外接电阻产生。

3.一种与输出电容直接并联的MOSFET同步整流电路的方法，其特征是：MOSFET构成的整流电路的电压输入端向MOSFET检测网络（100）输入输入电压Vin；

所述MOSFET检测网络（100）输出输出电压V_O；

所述输出电压V_O输入到电压比较器（200）；

电压比较器（200）通过输出电压V_O和参考电压Vref进行比较后输出电平信号；

所述驱动器（300）根据电压比较器（200）输出的电平信号控制MOSFET的开通和关断。

4.根据权利要求3所述的与输出电容直接并联的MOSFET同步整流电路的方法，其特征是：当输入电压Vin大于稳压管电压V_CLAMP时，MOSFET检测网络（100）的输出电压V_O是V_CLAMP；

当输入电压Vin小于稳压管电压V_CLAMP时，MOSFET检测网络（100）的输出电压V_O=I_SS×R_DET+V_DS；

所述V_DS为MOSFET工作于同步整流状态时，MOSFET所流过的电流I_DS 在MOSFET的导通电阻R_DSON上的电压降；

所述电流I_DS为负值，所述电压降V_DS<0。

5.根据权利要求4所述的与输出电容直接并联的MOSFET同步整流电路的方法，其特征是：所述输出电压V_O大于参考电压Vref，比较器输出低电平；所述参考电压Vref大于输出电压V_O，比较器输出高电平。

6.根据权利要求5所述的与输出电容直接并联的MOSFET同步整流电路的方法，其特征是：所述低电平经驱动器（300）输出到MOSFET的栅极，使得MOSFET关断；所述高电平经驱动器（300）输出到MOSFET的栅极，使得MOSFET保持开通。

7.根据权利要求6所述的与输出电容直接并联的MOSFET同步整流电路的方法，其特征是：当MOSFET关断时，流过MOSFET的电流换流到MOSFET的体二极管；

所述MOSFET的体二极管的电流为零时，MOSFET的电压降V_DS增加；

所述MOSFET的电压降V_DS大于稳压管电压V_CLAMP时，MOSFET检测网络（100）的输出电压V_O为稳压管电压V_CLAMP。