[发明专利]半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 201310323531.X | 申请日： | 2013-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN104347471A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 范建国;沈建飞;季峰强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
1.一种半导体器件的制备方法，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有浅沟槽；
对所述浅沟槽的底部进行离子注入；
在所述浅沟槽的底部与侧壁形成一内衬氧化物层。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述对所述浅沟槽的底部进行离子注入步骤和在所述浅沟槽的底部与侧壁形成一内衬氧化物层步骤之间，还包括：进行第一回刻工艺。
3.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述浅沟槽的底部与侧壁形成一内衬氧化物层步骤之后，还包括：
在所述浅沟槽内沉积一隔离氧化物层；
对所述半导体衬底进行平坦化工艺，以形成浅沟槽隔离。
4.如权利要求3所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述浅沟槽的底部与侧壁形成一内衬氧化物层步骤和在所述浅沟槽内沉积一隔离氧化物层步骤之间，还包括：进行第二回刻工艺。
5.如权利要求1-4中任意一项所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述离子注入的离子为硼离子、磷离子或砷离子。
6.如权利要求1-4中任意一项所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述离子注入的离子浓度为1×1018cm-3～1×1021cm-3。
7.如权利要求1-4中任意一项所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述离子注入的注入方向与所述半导体衬底的表面的夹角为90度±5度。
8.如权利要求1-4中任意一项所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，采用热氧化工艺在所述浅沟槽的底部与侧壁形成所述内衬氧化物层。
9.如权利要求8所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述热氧化工艺的温度为700℃～1200℃。
10.如权利要求8所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述热氧化工艺的时间为10min～3h。
11.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述内衬氧化物层在所述浅沟槽的底部的厚度为
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
