[发明专利]用于处理基板的装置

权利要求书

1.一种基板处理装置，其包括：

壳体，其具有在其中进行基板处理的内部空间；

支撑件，其布置在所述壳体内以支撑所述基板；

气体供给单元，其将气体供给到所述壳体中；

等离子源，其从供给到所述壳体中的所述气体产生等离子；以及

导流件单元，其布置为围绕在所述壳体内的所述支撑件，所述导流件单元包括导流件，其中限定用于将所述气体排放到所述壳体的内部空间中的通孔，

其中，当从上面观察时所述导流件被分成多个区域，并且

所述多个区域的一部分中的每个都由金属材料形成，并且所述多个区域的其它部分中的每个都由非金属材料形成。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述通孔限定在每个所述金属材料区域与每个所述非金属材料区域之间的边界中。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述多个区域同心地布置，并且所述多个区域中的每个都具有环形形状。

4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，所述金属材料区域布置在每个所述非金属材料区域的两侧上。

5.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，所述金属材料区域与所述非金属材料区域交替地重复设置。

6.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述多个区域的部分彼此具有不同的厚度。

7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，所述多个区域中的每个都具有从其中心区域到边缘区域逐渐增加的厚度。

8.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，所述多个区域的顶面彼此结合以提供圆形的形状。

9.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，所述多个区域中的每个都具有从其中心区域到边缘区域逐渐增加的厚度。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的基板处理装置，其中，所述非金属材料包括电介质物质。

11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其中，所述导流件单元还包括具有与所述导流件的底面接触的顶面的导流件接地板，所述导流件接地板连接到所述壳体上以使所述导流件接地。

12.根据权利要求1所述的基板处理装置，还包括布置在所述壳体的顶面上的等离子感应件，所述等离子感应件具有朝向其边缘区域逐渐增加的厚度。

13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其中，所述等离子感应件具有圆形形状的底面。

14.根据权利要求11所述的基板处理装置，其中，还包括布置在所述壳体的顶面上的等离子感应件，所述等离子感应件具有朝向其边缘区域逐渐增加的厚度。

15.一种导流件单元，其包括;

导流件，其中限定了用于将气体排放到处理基板的空间中的通孔；

接地板，其与所述导流件接触以使所述导流件接地，

其中，当从上面观察时所述导流件被分成多个区域，并且

所述多个区域中的部分设置为金属材料区域，并且所述多个区域中的其它部分设置为非金属材料区域。

16.根据权利要求15所述的导流件单元，其中，所述通孔限定在每个所述金属材料区域与每个所述非金属材料区域之间的边界中。

17.根据权利要求16所述的导流件单元，其中，所述金属材料区域与所述非金属材料区域同心地布置，并且所述多个区域中的每个都具有环形形状。

18.根据权利要求17所述的导流件单元，其中，所述金属材料区域与所述非金属材料区域交替地重复设置。

19.根据权利要求16所述的导流件单元，其中，所述多个区域的部分彼此具有不同的厚度。

20.根据权利要求16所述的导流件单元，其中，所述多个区域中的每个都具有从其中心区域到边缘区域逐渐增加的厚度。