[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201310322536.0 | 申请日: | 2013-07-29 |
公开(公告)号: | CN103400837A | 公开(公告)日: | 2013-11-20 |
发明(设计)人: | 王新星;柳在健;姚继开 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L29/786;H01L21/77;H01L21/027 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括:基板,形成在所述基板一侧的薄膜晶体管和钝化层,并且所述阵列基板划分为反射区和透射区;
其特征在于,所述钝化层远离所述基板一侧的反射区形成有绝缘层;
所述绝缘层远离所述基板的一侧形成有用于对入射光进行漫反射的纳米粒子层。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述纳米粒子层包含:纳米二氧化钛粒子、纳米三氧化二铝粒子和/或纳米氧化锌粒子。
3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述绝缘层采用树脂或者二氧化硅材料。
4.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1至3任一项所述的阵列基板。
5.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:
在基板上形成薄膜晶体管和钝化层;
在所述钝化层的反射区上形成绝缘层图案;
在所述绝缘层上涂覆掺杂有纳米粒子的光刻胶;
对所述光刻胶进行曝光处理,形成纳米粒子层。
6.如权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括:对形成有所述纳米粒子层的基板进行烘干处理。
7.如权利要求5所述的制备方法,其特征在于,在所述绝缘层上涂覆掺杂有纳米粒子的光刻胶的步骤具体为:采用掩膜板遮蔽所述阵列基板的透射区,在所述绝缘层上涂覆掺杂有纳米粒子的光刻胶。
8.如权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述纳米粒子为纳米二氧化钛粒子、纳米三氧化二铝粒子和/或纳米氧化锌粒子。
9.如权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述绝缘层采用树脂或者二氧化硅材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的