[发明专利]一种光集成固体继电器在审
| 申请号： | 201310322340.1 | 申请日： | 2013-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN103457589A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 张有润;董梁;刘影;吴浩然;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687;H01L27/142 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 李顺德;王睿 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 集成 固体 继电器 | ||
1.一种光集成固体继电器，其特征在于：包括集成于同一衬底（1）上的控制电路（3）和输出端功率半导体器件（4），还包括光电池阵列（2），所述光电池阵列（2）将光信号转换成电信号并将电信号提供给控制电路（3），所述控制电路（3）根据输入的电信号控制输出端功率半导体器件（4）的开关；所述控制电路（3）由若干个三极管、若干个二极管以及若干个阻抗元件组合而成，每个三极管、每个二极管以及每个阻抗元件均单独处于衬底（1）的一个V型槽（101）内；所述输出端功率半导体器件（4）单独处于衬底（1）的V型槽（101）内；所述光电池阵列（2）集成在输出端功率半导体器件（4）表面的漂移区，所述光电池阵列（2）由若干个光伏电池串联而成。
2.如权利要求1所述的光集成固体继电器，其特征在于：所述光伏电池为多晶硅光伏电池。
3.如权利要求2所述的一种光集成固体继电器，其特征在于：所述输出端功率半导体器件（4）表面的漂移区设置有N型多晶硅基体（5），在N型多晶硅基体（5）与输出端功率半导体器件（4）之间设置有场氧层（6），在N型多晶硅基体（5）的表面通过双扩散工艺形成P+区（7）以及N+区（8），并在P+区（7）设置阳极电极（9）、N+区（8）设置阴极电极（10）形成所述的多晶硅光伏电池。
4.如权利要求3所述的光集成固体继电器，其特征在于：所述多晶硅光伏电池表面设置有抗反射层（11）。
5.根据权利要求1至4中任意一项权利要求所述的光集成固体继电器，其特征在于：所述输出端功率半导体器件（4）为横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管或横向绝缘栅双极型晶体管。
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