[发明专利]集成摆率增强电路的高PSR低压差线性稳压器

权利要求书

1.集成摆率增强电路的高PSR低压差线性稳压器，包括基准电压源、误差放大器、电源电压输入端、调整管及电阻反馈电路，其特征在于，还包括摆率增强电路及补偿电容，所述误差放大器的正相输入端与基准电压源连接，反相输入端与电阻反馈电路连接，输出端与摆率增强电路的输入端连接，摆率增强电路的输出端与调整管的栅极连接，调整管的漏极为输出端，并与电阻反馈电路连接，调整管的源极与电源电压输入端连接，补偿电容的一端与误差放大器的反相输入端连接，补偿电容的另一端与输出端连接。

2.如权利要求1所述的集成摆率增强电路的高PSR低压差线性稳压器，其特征在于，所述误差放大器为-3dB带宽大于2MHz的放大器。

3.如权利要求1所述的集成摆率增强电路的高PSR低压差线性稳压器，其特征在于，所述误差放大器包括偏置电压输入端、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管及第五NMOS管，所述第一PMOS管的栅极与第二PMOS管的栅极连接，第二PMOS管的栅极与其自身的漏极连接，第一PMOS管的漏极与第四NMOS管的栅极连接，第四NMOS管的栅极与其自身的漏极连接，第二PMOS管的栅极与第一NMOS管的漏极连接，第三PMOS管的栅极与其自身的漏极连接，并与第二NMOS管的漏极连接，第四PMOS管的栅极与第三PMOS管的栅极连接，漏极与第五NMOS管的栅极连接，第五NMOS管的栅极与其自身的漏极连接，第一NMOS管的栅极为误差放大器反相输入端，源级与第三NMOS管的漏极连接，第二NMOS管的栅极为误差放大器正相输入端，源级与第三NMOS管的漏极连接，第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管及第四PMOS管的源级都与电源电压输入端连接，第三NMOS管、第四NMOS管及第五NMOS管的源级都与地连接，第三NMOS管的栅极与偏置电压输入端连接，以产生尾电流。

4.如权利要求1所述的集成摆率增强电路的高PSR低压差线性稳压器，其特征在于，所述摆率增强电路包括第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管及第九NMOS管，所述第五PMOS管与第六NMOS管组成第一反相器，第七PMOS管与第七NMOS管组成第二反相器，第一反相器的输入端同误差放大器的输出端相连，第一反相器输出端同第六PMOS管漏极以及第二反相器输入端相连，第六PMOS管栅极与其漏极相连，并与第二反相器输入端连接，第二反相器输出端同第八NMOS管栅极、漏极及第九NMOS管栅极相连，第八NMOS管栅极与第九NMOS管栅极连接，第八POMS管栅极与其漏极连接，并与调整管栅极连接。

5.如权利要求1所述的集成摆率增强电路的高PSR低压差线性稳压器，其特征在于，所述电阻反馈电路包括第一电阻及第二电阻，第一电阻的一端与第二电阻的一端连接，并与误差放大器的反相输入端连接，第一电阻的另一端与输出端连接，第二电阻的另一端与地线连接。

6.如权利要求1所述的集成摆率增强电路的高PSR低压差线性稳压器，其特征在于，所述调整管为PMOS管。

7.如权利要求1或2或3或4或5或6所述的集成摆率增强电路的高PSR低压差线性稳压器，其特征在于，还包括片外电容，所述片外电容的一端与输出端连接，另一端与地线连接，该片外电容的寄生电阻小于10mΩ，片外电容的电容值大于2.2uF。