[发明专利]用于RFID标签的数据存留控制装置无效
申请号: | 201310321024.2 | 申请日: | 2013-07-26 |
公开(公告)号: | CN103577865A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 郑喆镐 | 申请(专利权)人: | LS产电株式会社 |
主分类号: | G06K19/07 | 分类号: | G06K19/07 |
代理公司: | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人: | 黄威;王涛 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 rfid 标签 数据 存留 控制 装置 | ||
技术领域
本说明书涉及一种射频识别(RFID)标签,尤其涉及基于标记技术的用于FRID标签的数据存留控制装置。
背景技术
射频识别(RFID)是一种无线(无线电)通信方案。开发RFID是为了经由射频信号发射和接收少量的识别数据的目的。可根据待施加应用的特征对RFID技术进行分类。
根据所使用的频带,可以将RFID技术分类成使用高频带的RFID技术和使用超高频带的RFID技术。根据RFID技术是否是独立驱动的还可以将RFID技术分类成无源式、半有源式和有源式。
一般可以将通信单元划分为阅读器和标签。
阅读器可以执行具有标签的射频(下文中简称为RF)信号的发射和接收,用于读取标签的信息。
当接收到FR信号时,通过调制相位、振幅等等标签可以将储存的信息发射至阅读器。
不存在规范RFID技术的统一国际组织。独立的规范和标准从属于使用RFID技术的各个国家。
RFID技术的国际标准可以包括ISO/IEC、DASH7、EPG Global等等,出于通信和使用目的,可以根据频率进行不同的分类。
RFID相关技术的标记技术是如下技术:当阅读器与标签之间的通信距离大于预定的距离时,尤其是当多个标签位于阅读器的可通信的半径内时,所述技术通常与使标签的响应状态信息保持(维持)预定时间的功能相关。此处,标签的响应状态信息指的是指示这样一种标签的信息:其在阅读器的操作半径内存在的多个标签之中,已经响应并且传递信息至阅读器,通过将标签响应状态保持为预定值,而相对于阅读器发送的响应请求信息选择性地做出反应。
当一个阅读器读取多个标签时或多个阅读器读取多个标签时,标记技术是非常重要的技术。在EPC Global标准等等中将可以找到相关的描述。
作为与标记技术相关的现有技术,第10-2009-0073546号韩国公开专利公开了一种用于RFID标签的数据存留(保留)控制装置。此处,数据存储单元和放大电路起到动态随机存取存储器(DRAM)的存储单元的作用。然而,不管是否供应电力,或在电力供应的预定时间之后,都会造成数据丢失。不需要执行数据存储的数据存储元件。
而且,公开专利(10-2009-0073546)公开了必须增加电容器的容量以延长数据持续时间。电容器的容量的增加可能造成半导体芯片的面积的增加从而产生额外的成本。不考虑与标记技术相关的操作,这还可能导致电力消耗。
作为另一个现有技术的第US7,215,251号美国专利公开了一种用作实行标记技术的构件的比较器。然而,所述比较器需要造成连续电流消耗的恒定电流源。在使用比较器时因为恒定电流的连续消耗,可能造成电力损耗。
发明内容
因此,本公开的一个方案提供了一种能够满足基于EPC Global标准的标记操作准则和使得电力消耗最小化的用于RFID标签的数据存留控制装置。
本公开的另一个方案在于提供一种能够满足基于EPC Global标准的标记操作准则、降低电路的复杂性以及由于部件的面积更小而降低成本的用于RFID标签的数据存留控制装置。
本公开的另一个方案提供了一种能够通过在电容器的充电和放电时使用开关来防止不必要的电流漏泄的用于RFID标签的数据存留控制装置。
为了实现这些和其他优势并且根据本说明书的目的,如在此实施的并且宽泛描述的,提供了一种用于RFID标签的数据存留控制装置,包括:
待充电的电容器;
对所述电容器进行充电的充电电路;
对所述电容器进行放电的放电电路;
开关,当所述开关为导通状态时所述开关将所述充电电路电连接至所述电容器或者将所述放电电路电连接至所述电容器;以及
输出电路,其根据基于所述电容器的放电程度而确定的输入电压来输出逻辑高信号或逻辑低信号。
根据本公开的一个方案,所述输出电路被配置为当响应于所述电容器的放电而确定的输入电压低于阈值电压时输出所述逻辑高信号。
根据本公开的另一个方案,当响应于所述电容器的充电而确定的输入电压高于阈值电压时,所述输出电路可以输出所述逻辑低信号。
根据本公开的另一个方案,所述阈值电压可以为220mV,并且所述输出电路被配置为基于所述阈值电压来确定所述逻辑高信号的持续时间。
根据本公开的另一个方案,所述输出电路包括多个NMOS(N-金属氧化物半导体)晶体管和多个PMOS(P-金属氧化物半导体)晶体管。
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